一、PDP扫描电极驱动芯片的研制（论文文献综述）
梁涛[1]（2016）在《行扫描驱动高压SOI横向功率器件与电路特性研究》文中指出SOI（Silicon On Insulator,绝缘体上硅）高压集成电路具有良好的隔离性、高速度、高集成度、低功耗、抗闩锁和抗辐射等特点,广泛用于汽车电子、医疗电子、家用电器、工业控制、航空航天和照明应用等领域,SOI技术已成为先进硅集成技术的主流技术之一。行扫描驱动电路作为SOI集成技术的应用之一,常用于等离子显示驱动中。等离子显示屏是一种新型直视式图像显示器件,其具有图像效果出众、刷新速度快、寿命长、视角宽、光效及亮度高、工作温度范围宽等许多优良特性。随着其技术的广泛应用,具有自主知识产权的驱动芯片的开发意义重大。基于SOI技术的行扫描驱动电路集合了SOI技术优点,相比体硅的驱动电路更具优势,而其中的高压SOI横向功率器件和相关电路的设计至关重要。本文对高压SOI器件耐压机理进行研究,建立高压SOI器件耐压模型,基于厚膜SOI材料,研究和设计用于行扫描驱动的高压SOI器件及电路,包括高压PLDMOS（P-channel Lateral Double-diffused MOSFET）、NLDMOS（N-channel Lateral Double-diffused MOSFET）,以及分频器、输入选择电路、移位寄存器和电平位移电路等相关电路。本文所采用SOI材料的顶层硅厚度为11μm、埋氧层厚度为1μm,通过器件仿真设计NLDMOS和PLDMOS,研究器件特性并开发其集成工艺,以满足驱动电路应用需求。此外,对行扫描驱动电路的各个模块进行设计分析,最终实现SOI基的等离子显示平板（Plasma Display Panel,简称PDP）高压行扫描驱动芯片。本文主要工作和创新点如下:1.建立高压SOI器件耐压模型,设计高压SOI NLDMOS和PLDMOS,并开发相应的集成工艺技术。本文建立了高压SOI器件横向和纵向耐压模型,获得器件击穿时的电场电势分布和RESUFR判据。基于模型指导,在11μm厚顶层硅、1μm厚埋氧层的SOI材料上,设计用于高压行扫描驱动电路中的薄栅氧SOI NLDMOS和厚栅氧SOI PLDMOS,研究场板、漂移区浓度等重要参数对器件关态和开态特性的影响,依此对器件进行优化设计。同时,本文开发了相应的与传统CMOS工艺相兼容的SOI高压集成工艺技术,实验结果表明设计的高压SOI NLDMOS和PLDMOS的关态耐压分别达到210 V和-240 V。2.提出一种具有部分高K介质埋层的SOI PLDMOS。此新器件结构将传统结构的部分埋氧层替换为介电常数更高的Si3N4,降低了漂移区的积累层电阻,使器件获得更低的比导通电阻,同时减弱了器件的自热效应。通过与传统结构的仿真对比,新结构保持了与传统结构相当的击穿电压,但比导通电阻降低了24%,最高温度降低了59%。3.设计一种高压行扫描驱动电路。设计的电路包括:f/6分频器（FD）模块、输入选择电路模块、6 bit移位寄存器模块、16 bit移位寄存器模块、输出信号产生电路模块和电平位移电路模块。对每个模块的原理和功能进行了分析,并仿真设计。本文设计的PDP行扫描驱动电路可实现150 V高压电源的应用,电路驱动电流达-500 m A+350 m A,且具有良好的抗辐射特性。同时,本文还研究了一种垂直型恒流二极管,设计出一个夹断电压小于5 V,击穿电压约为250 V,电流密度约为1.5×10-5 A/μm,恒流特性良好的恒流二极管。
黄勇[2]（2016）在《阱复用LIGBT与矩阵式驱动电路研究》文中提出SOI（Silicon On Insulator,绝缘体上硅）高压功率集成电路由于低功耗、高速、高可靠性等特点近年来是学术和产业研究的热点。SOI基高压功率集成电路可以集成横向绝缘型双极晶体管（Lateral Insulation Gate Bipolor Transistor,LIGBT）,LIGBT器件具有BJT（Bipolar Junction Transistor,双极结式晶体管）器件电流能力强和LDMOS（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semicondutor）器件开关速度快的两重优势,是近年来中高压功率集成电路中的重要器件,广泛应用在智能家电、智能家居、汽车电子、照明等领域。如何制造高性能、高可靠性和低成本的SOI高压功率集成电路是众多研究学者的关注热点之一。本论文围绕高性能、高可靠性和低成本三个方面,对SOI LIGBT器件及其电路进行研究。提出一种阱复用SOI LIGBT技术,在保持高性能的同时实现工艺简化。提出一种低谐波电流输出模式,降低多通道输出功率行驱动芯片的低频辐射EMI（Electromagnetic Interference,电磁干扰）。提出将传统线性驱动更改为矩阵式驱动的方法大幅节约芯片面积,最后进行实际流片测试和量产认证。论文取得的主要创新与工作如下:（1）提出阱复用SOI LIGBT技术,简化器件制造工艺。通过将低压CMOS的N-well阱与LIGBT原有独立N-buffer进行复用,在新条件下获得最优器件结构和工艺参数。实验结果显示基于阱复用SOI LIGBT的关态击穿电压达到218 V,开态耐压达到170 V,与原有器件特性一致。（2）基于SOI LIGBT器件和驱动方式,提出低谐波输出电流模式。研究功率驱动集成电路低频辐射超标的原因,依据SOI LIGBT特点进行栅极驱动和调整电流能力,使用延时方法进行扩频处理,控制峰值电流和减少高低压串扰,最终降低30MHz50MHz之间的辐射电磁谐波分量,将低频辐射准峰值从47 dBμV/m下降为36.8 dBμV/m。（3）基于SOI LIGBT电路和负载特性,提出矩阵驱动结构替代传统线性驱动结构,结合容性负载特性,将SOI LIGBT的电平位移电路从96组降低为22组,并将上拉管驱动能力进行共用减少高压管的面积,最终驱动芯片总面积从20 mm2下降为11.6 mm2,并通过实际流片验证。（4）研究SOI LIGBT工艺和电路测试与可靠性认证,通过对低压CMOS与SOI高压器件融合工艺研究,得到具有容差范围的工艺条件。对耐压时变Walk-out进行分析和提出解决方法。结合在等离子行扫描驱动芯片中的实际应用,详细阐述LIGBT器件和电路的测试认证考核,最终实现超过150 K的量产。
何晓莹[3]（2015）在《功率驱动电路开关噪声的电磁干扰特性研究》文中研究指明作为功率电子系统的核心,功率驱动电路采用半导体开关器件,其开关变化产生的开关噪声尤为突出,由此引起的电磁干扰（EMI）问题会使系统无法满足电磁兼容标准规范要求,甚至不能正常工作,并对其他电路系统造成影响。随着功率电子系统向高速度、高集成、高电压、大电流等趋势发展,EMI问题会更加严重。然而,由于开关器件等引入了各种复杂寄生参数,导致电磁干扰源（开关噪声）及其传输方式（传导、辐射干扰）的建模与分析复杂性大大提高,传统的建模和分析方法已不能准确判断相关参数对EMI影响程度。因此,对功率驱动电路中开关噪声及电磁干扰特性研究至关重要。本文以功率驱动电路中的典型电路结构单开关管电路和推挽结构电路为研究对象,发光二极管照明（LED）驱动电路和等离子显示（PDP）驱动电路为实际案例,重点研究开关噪声非线性模型、时域频域特性及基于等效传输路径的EMI传导特性、基于电磁仿真的EMI辐射特性等,并基于研究结果得到了有效抑制功率驱动电路电磁干扰的方法。本文主要创新点如下：1、建立了基于状态变量描述法的开关噪声非线性模型。采用状态变量描述法克服了传统建模方法中没有全面地考虑开关器件非线性的问题,并清晰地描述了相关参数与开关噪声之间的解析关系,仿真和测试结果验证了不同条件下模型的准确性。基于所建模型,利用时域波形分解法及考虑测量带宽的频谱计算方法提取了开关噪声的高频特征。2、建立了开关噪声传导干扰的解析模型。采用等效电路分析的方法兼顾了共模、差模干扰传播路径的差异及开关器件的不同开关状态,通过三维数值仿真进行了功率驱动电路中对地等效电容、输入滤波电容、开关器件极间电容等参数对EMI影响程度的定量分析,弥补了时域电路模型不能准确判断关键参数的问题,为EMI抑制提供了依据。3、实现了基于三维空间模型的驱动电路全波电磁仿真。针对功率驱动电路工作频率与仿真频率差距大的特殊性,采用线性化仿真方法显着缩短了仿真时长,重点分析了印刷电路板（PCB）表面电流分布、高频电流环路面积、高频电流幅值、输入/输出电缆长度等对远场辐射强度的影响。4、根据上述分析,从减小开关噪声、改变传输路径两个角度,分别优化驱动电路中浮地电容、限流电阻等关键器件参数及PCB关键路径布线的方法对两个应用案例进行定量设计和测试验证。实测结果表明,将等离子显示（PDP）驱动电路中开关噪声控制在总电源电压10%以下,噪声峰值从191V下降至154V,近场辐射干扰平均降低约8dBμV,提高了系统稳定性并使其满足了产品EMI限定要求；将发光二极管（LED）驱动电路中传导干扰水平降低约21dBμV,使其满足了EN55022标准限值要求。本文从理论分析、定量仿真及实验验证三个层面,对功率驱动电路中开关噪声的非线性模型、电磁干扰源的分析方法、电磁干扰的传导干扰模型、辐射仿真及方法等方面进行了研究,提出了相应分析和优化设计方法,并通过应用案例完成了测试验证。本文工作为系统深入地研究功率驱动电路系统的电磁干扰抑制方法奠定了基础,为高可靠性的功率驱动系统设计提供了理论及实践指导。
刘新新[4]（2010）在《SOI PDP扫描驱动电路设计》文中研究表明等离子体显示平板（PDP:Plasma Display Panel）是目前市场上主流的平板显示器之一,它具有显示效果好、寿命长、视角广、响应快、厚度薄等优点,非常适合于高清数字电视和大屏慕显示。驱动芯片作为其核心技术之一,采用高低压集成技术,具有很高的技术含量,目前技术掌握在国外公司手里,国内还处于研发阶段,还没有成熟的产品,因此设计开发PDP驱动芯片具有重要的意义。本文旨在设计一款基于SOI（Silicon on Insulator）的PDP扫描驱动芯片。与传统体硅技术相比,SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、良好的隔离、寄生效应小以及可靠性高等优点。本文对基于SOI工艺的PDP扫描驱动电路进行探究,主要内容包括PDP的发展状况、PDP显示器的工作原理、PDP扫描驱动电路的设计理念以及电路仿真、版图设计和工艺实现几个部分。首先简述了当前PDP的发展状况和显示器工作原理,以及扫描驱动芯片在PDP显示器中的作用,详细介绍了PDP扫描驱动电路的设计。按照扫描驱动芯片各部分功能将电路分为管脚电路、双向移位寄存器、锁存器、选择器以及高压电平位移电路这几部分,依次对各部分子模块的电路结构、实现形式和逻辑功能进行了详细的阐述。同时使用HSPICE电路仿真软件对各子电路和整体电路的功能进行了仿真验证,电路整体仿真过程中,对一些关键管脚的逻辑控制作用进行了具体的仿真,仿真结果都达到设计目标。在版图设计和工艺实现部分,简要的给出了版图设计规则和主要的工艺流程。本设计的96位PDP扫描驱动芯片基于顶层硅厚度为11μm、埋氧层厚度为1μm的厚膜SOI材料,目前已完成流片,并可成功动态点屏。
洪慧[5]（2007）在《功率集成电路兼容技术的研究》文中进行了进一步梳理在微电子技术和电力电子技术的交叉推动下，功率集成电路（Power Integrated Circuit，简称PIC）得到迅速的发展，其应用领域也在不断扩大，目前已经广泛运用于马达驱动、电源管理、汽车电子和平板显示等领域当中。特别是近几年随着新工艺和新器件的不断出现，PIC也逐步向PSoC（Power System on Chip）方向迈进，但是其成本和工艺复杂度等问题始终限制着PIC的进一步发展。因此，开展功率集成电路兼容技术的相关研究，开发具有自主知识产权的BCD工艺，并研制相应的各类功率集成电路仍有着非常重要的现实意义。本文围绕着PIC兼容技术及其研发的整个过程，对PIC的工艺流程、器件结构和电路设计等方面展开了一些深入研究。主要工作和创新点有：1、提出了适用于超高压（＞500V）单片智能功率IC制造的BCDZ1工艺技术方案。该工艺方案能将无外延的双RESURF结构横向功率LDMOS器件与PWM低压控制器兼容在一起，共同组成PWM开关电源智能功率集成电路。该电路流片结果表明该LDMOS器件性能良好，击穿电压可达700V左右，低压PWM开关电源部分亦工作正常，所有参数均达到设计指标。该PIC芯片的流片成功（在国内未见同水平报导），验证了BCDZ1工艺技术方案的正确性与切实可行性。2、提出了适用于高压（＜200V）、低导通电阻的功率IC制造的BCDZ2工艺技术方案。该工艺方案能将纵向功率VDMOS器件、电平位移电路和低压控制电路等兼容在一起，共同组成高压平板显示器中的高压驱动集成电路。该工艺流程具有工艺相对简单、工艺层次少和成本低等特点。经过流片和测试表明，不仅所有元器件的性能均能达到预先设定的要求，而且该PDP显示扫描驱动IC的功能和性能全部达到设计指标。该PDP扫描驱动IC的流片成功，也验证了BCDZ2工艺技术方案的可行性和正确性。3、为了验证BCDZ2工艺技术方案的正确性与可行性，开发设计了一种用于PDP显示的扫描驱动IC。该扫描驱动IC实现PDP显示系统所需求的所有功能，能工作在15～160V高压下，并具有相当大的驱动电流能力。在完成电路设计、版图绘制和验证的基础上，进行了流片验证。测试结果表明该扫描驱动IC的所有功能和性能指标均达到了预先设计的要求，最大工作频率达到20MHz。作为检验驱动能力的两个关键参数，它的上升沿和下降沿时间分别为165ns和30ns(高压电源Vpp=90V和负载CL=200pF情况下)。4、针对BCDZ2工艺技术方案中出现的HV-VDMOS器件，为了更好的降低其导通电阻，提出了一种计算其导通电阻和特征导通电阻的三维解析模型。由于集成VDMOS器件的漏极要从芯片表面引出，其横向埋层和漏极注入等寄生电阻会对导通电阻产生极大的影响，因而这就需要对VDMOS器件的布局和元胞数做最优化的处理。利用该3D模型，可以很好地预测器件元胞布局和漏极接触边数对特征导通电阻的影响，从而可以计算出限定面积下达到最小导通电阻的最佳元胞数和漏极接触边数以及器件结构布局。整个论文围绕着PIC兼容技术及其工艺方案实现这一主线，研究提出了两种不同PIC类型的BCD工艺技术方案，并在此基础上成功研制了两种相应类型的PIC芯片。这两种工艺技术方案由于针对的PIC需求不同，其工艺方案也是截然不同的，以此来满足不同PIC对耐电压、电流等特殊的需求，这也一定程度上为PIC设计者提供了选择余地。该类芯片的研制成功，一方面意味着可以打破该类芯片只能依赖进口的落后局面，另一方面意味着具有完全自主知识产权的高压集成电路工艺生产线的国产化也不是不可能的。本文的工作为今后进一步进行PIC工艺和电路国产化研究积累了技术经验，同时通过全方位地对PIC研发整个流程的尝试，为相关技术推广及产业化打下了基础。
韩进辉[6]（2007）在《PDP高压驱动芯片可靠性研究及验证方法》文中研究说明功率集成电路是当今国际上迅速发展起来的一种新颖的集成电路产品,它是电力电子技术与微电子技术相结合的产物。作为功率集成电路的一个重要分支,高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路是在高压器件、高压IC工艺以及设计技术的基础上发展起来的。XD100和XD170是拥有自主知识产权的PDP驱动芯片,对其进行可靠性验证和分析,为将来尽快实现商品化生产铺平道路。本文从PDP的显示原理和驱动方法入手,详细介绍了PDP的整机电路结构和X电极,Y电极以及A电极的驱动电路,并详细分析了能量复得电路和功率控制与输出单元电路的工作原理。在此基础上,展开了对PDP驱动芯片XD100和XD170的测试。测试分逻辑功能测试和直流特性测试。针对测试结果对芯片进行了可靠性分析,分析从电迁移现象,闩锁效应,隔离技术,功率器件的可靠性以及静电保护这几部分展开。其中在功率器件的可靠性分析中给出了VDMOS的安全工作区,详细分析了VDMOS的二次击穿现象,提出了避免二次击穿现象发生的方法。通过对测试芯片的可靠性分析,文中给出了可采用的改进方法,以提高芯片的可靠性。
叶晓伟[7]（2006）在《AC-PDP寻址驱动芯片的研究和设计》文中提出本文主要阐述了一种AC-PDP寻址驱动芯片的的设计。彩色AC-PDP在21世纪信息显示领域具有广阔的市场和应用前景。经过多年的发展，AC-PDP的各种技术已经比较成熟，但新的结构、工艺和驱动方法仍不断涌现。现在显示器市场竞争异常激烈，AC-PDP有着CRT和LCD无法相比的优越性，但同时有着急需解决的难题：优化驱动电路结构，提高发光效率和降低电路成本。只有克服了上面三个主要难题，才能为AC-PDP进一步拓宽市场。本项目从等离子体显示器驱动电路（包括扫描驱动芯片和寻址驱动芯片）的工作原理出发，在剖析ST公司的寻址驱动芯片STV7610A的基础上，设计PDP显示器所需的寻址高压驱动芯片。整个课题的重点在于整个时序电路和为实现耐压功能而进行的高压器件的设计。。本文对PDP的工作原理和系统结构作了详细的介绍和分析，在对STV7610A的工作原理进行全面了解的基础上，设计寻址芯片中的电路结构并在计算机上对整体电路进行了模拟仿真。随后根据制定的设计规则完成了电路全定制版图设计，并对版图进行了DRC、LVS以及后仿真验证。文中还分析了高压器件的结构，并在考虑到高、低压器件在工艺上兼容性的基础上设计了工艺流程，定量计算了所需的工艺参数值。芯片在杭州士兰进行了多次流片，因此在文中对测试过程和结果也做了详细的介绍。
汤勇明[8]（2006）在《SMPDP等效电路模型的研究》文中研究指明在大屏幕娱乐平板显示终端产品领域,目前最主流产品是等离子体显示屏和液晶屏。两者各有优缺点,严酷的市场竞争促使它们的技术都必须不断创新和改进。荫罩式等离子体显示器（SMPDP）技术方案的提出为等离子体显示器技术指出了一条有效的低成本化道路,对其继续保持在40英寸以上大屏幕平板显示器市场领域的主导地位具有非常重要的作用。在PDP技术研发领域,等效电路模型研究方法正因其快速、简洁、直观等突出优势近年来得到较好的发展。本论文的研究重点是设计针对SMPDP技术的等效电路模型,并构建和完善SMPDP适用的等效电路模型研究体系。论文首先详细分析了SMPDP的放电单元结构特点及其工作机制,设计并实施了多组特性测试实验,得到SMPDP气体放电的工作特性以及电路系统中对于SMPDP负载、驱动方式的变化而产生影响的实际结果。参考上述结果,根据SMPDP放电空间的结构特点和气体放电特性,本论文提出了SMPDP等效电路模型,它主要由电容网络和晶闸管元件构成,具有结构简单,应用方便的特点。经过利用商用电路模拟软件进行性能仿真所得的结果与测试结果相符,显示出良好的准确性和可等效替代性。该模型已经在SMPDP壁电荷工作机理阐述、能量复得电路功效分析和部分电路系统调整和优化实验等实际工作起到了良好的辅助设计作用。为了扩展SMPDP等效电路模型的应用场合,进一步降低系统开发成本,论文还先后分析了SMPDP等效电路模型参数变化对系统工作特性的影响,以及SMPDP等效电路模型参数与SMPDP结构设计之间的关系。在现有条件下,完成了SMPDP整屏等效电容取值经验公式的构建工作。
吴可[9]（2006）在《SMPDP波形研究及优化》文中进行了进一步梳理等离子体显示器在进入21世纪后已经确立了其在大屏幕高清晰度显示领域的重要地位,但是目前仍然有许多需要改进的地方,如发光效率、功耗、成本等。新型荫罩式等离子显示器的出现为进一步提高等离子体显示屏分辨率、亮度以及降低成本,延长使用寿命提供了可能。然而将该技术推向产业化还有许多工作,由于荫罩式等离子显示器的结构和传统的三电极表面放电式等离子显示器不同,其工作特性也不同,为了能够充分利用这种新的结构所带来的优势,必须深入研究荫罩式等离子显示器的工作特性,改进和优化其驱动方法。本论文在分析和比较了现有的传统表面放电型等离子显示器所采用的多种驱动方法的基础上,根据新型荫罩式等离子体显示屏的特殊结构,提出了其适用的驱动波形。该驱动波形基于寻址与显示分离的驱动方法,由重置期,寻址期和维持期组成。本论文在对比几种常用的重置波形的基础上,提出了适用于荫罩式等离子显示器的重置波形。此重置波形由正向斜坡波形和负向斜坡波形组成。通过壁电压输入输出曲线进行理论分析和实际系统上的实验结果,证明此波形能够有效地使壁电压达到稳定寻址需要的范围,并且产生有利于寻址的空间电荷,同时还有效的提高了对比度。另外论文中还提出了重置波形的相关参数。本论文分析了荫罩式等离子显示器中影响寻址速度的因素。通过对影响寻址速度的因素的分析和实际系统上实验的结果,提出了寻址波形需要满足的电压幅度的条件和寻址波形的相应参数。为了进一步降低寻址时间,提出了适用于25英寸荫罩式等离子显示器的缩短寻址时间的方案。本论文分析了荫罩式等离子显示器中能够稳定维持放电的要求,通过实际系统上实验的结果,提出了25英寸荫罩式等离子显示器的维持波形相应的参数。
王小峰[10]（2006）在《彩色PDP显示控制电路设计》文中指出PDP（等离子显示平板）是目前处在迅速发展和应用之中的新型平板显示器之一。它具有大尺寸、宽视角、厚度薄、固有的数字化显示方式等优点,非常适合应用于高清晰数字电视和公共场合大屏幕显示。本文工作得到国家863计划“高压驱动电路模块”课题的支持,为研究开发彩色PDP电路系统和其中的显示控制电路创造了良好的条件。彩色PDP显示控制电路是PDP电路系统的关键电路之一,负责产生高压驱动电路的控制信号并处理图像数据。本文立足于PDP驱动芯片的应用,研究彩色PDP显示控制电路的设计和实现。首先,本文介绍了PDP的发展历史、前景及开展本课题的意义,概述了彩色PDP的工作原理及驱动方法。然后,本文阐述了实验屏电路系统的框架结构,逐一介绍了其中各部分电路的功能与设计,并分析探讨了PDP驱动芯片的功能结构和技术发展趋势。在此基础上,本文描述了实验屏PDP显示控制电路的器件方案,设计并制造了PCB。显示控制电路的逻辑功能是通过FPGA来实现的。通过对设计要求进行分析,FPGA的总体逻辑被划分为各个子逻辑,设计并仿真了各部分子逻辑的功能。然后,将这些逻辑功能集成到一起,下载到实验屏显示控制电路的硬件中。在调试过程中,又依次加入了彩色棋盘格逻辑以及读FLASH的逻辑。最后,通过烧写FLASH以及滚屏读取图像,实现了动态显示。基于本文介绍的PDP显示控制电路,实验用彩色PDP电路系统成功实现了动态图像显示,图像清楚明亮,电路工作稳定。从而为PDP驱动芯片的系统测试验证提供了较好的平台,同时也为PDP电路系统的深入研究打下了一定的基础。
二、PDP扫描电极驱动芯片的研制（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、PDP扫描电极驱动芯片的研制（论文提纲范文）
（1）行扫描驱动高压SOI横向功率器件与电路特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 高压SOI横向器件与集成技术概述 |
| 1.2 行扫描驱动方法简介 |
| 1.3 本文的主要工作和创新点 |
| 第二章 高压SOI横向功率器件 |
| 2.1 高压SOI器件耐压模型 |
| 2.1.1 横向耐压模型 |
| 2.1.2 纵向耐压模型 |
| 2.2 高压SOI NLDMOS特性 |
| 2.2.1 器件结构 |
| 2.2.2 耐压特性 |
| 2.2.2.1 背栅效应 |
| 2.2.2.2 漂移区对关态特性的影响 |
| 2.2.2.3 场板对耐压特性的影响 |
| 2.2.2.4 STI的位置对耐压特性的影响 |
| 2.2.3 开态特性 |
| 2.2.3.1 阈值电压 |
| 2.2.3.2 比导通电阻 |
| 2.2.3.3 安全工作区 |
| 2.2.4 具有N-buffer层的NLDMOS |
| 2.2.5 高压SOI NLDMOS设计 |
| 2.3 高压SOI PLDMOS特性 |
| 2.3.1 器件结构 |
| 2.3.2 耐压特性 |
| 2.3.3 开态特性 |
| 2.3.3.1 阈值电压 |
| 2.3.3.2 安全工作区 |
| 2.3.4 高压SOI PLDMOS设计 |
| 2.4 具有部分高K介质埋层的SOI PLDMOS |
| 2.4.1 器件结构 |
| 2.4.2 器件参数的优化与仿真 |
| 2.5 垂直型恒流二极管 |
| 2.5.1 恒流二极管及其应用 |
| 2.5.2 器件结构 |
| 2.5.3 器件仿真结果及参数分析 |
| 2.5.4 场限环终端的设计 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 高压行扫描驱动电路 |
| 3.1 高压行扫描驱动电路总体设计 |
| 3.2 F/6 分频器 |
| 3.2.1 F/6 分频器功能与原理 |
| 3.2.2 F/6 分频器仿真 |
| 3.3 输入选择电路 |
| 3.3.1 输入选择电路功能与原理 |
| 3.3.2 输入选择电路仿真 |
| 3.4 移位寄存器 |
| 3.4.1 6 bit移位寄存器功能与原理 |
| 3.4.2 6 bit移位寄存器仿真 |
| 3.4.3 16 bit移位寄存器功能与原理 |
| 3.4.4 16 bit移位寄存器仿真 |
| 3.5 输出信号产生电路 |
| 3.5.1 输出信号产生电路功能与原理 |
| 3.5.2 输出信号产生电路分析与仿真 |
| 3.6 电平位移电路 |
| 3.6.1 电平位移电路功能与原理 |
| 3.6.2 电平位移电路仿真 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 高压SOI器件和行扫描驱动电路实验与分析 |
| 4.1 工艺流程 |
| 4.2 版图设计 |
| 4.2.1 版图设计规则 |
| 4.2.2 高压器件版图 |
| 4.2.3 高压驱动电路版图 |
| 4.3 高压SOI LDMOS测试和模型参数提取 |
| 4.3.1 高压SOI LDMOS测试结果 |
| 4.3.2 高压SOI LDMOS模型参数提取 |
| 4.4 电平位移电路测试 |
| 4.5 行扫描驱动电路测试 |
| 4.5.1 测试准备 |
| 4.5.2 总体测试 |
| 4.5.3 单路电压电流测试 |
| 4.5.4 电磁干扰EMI测试 |
| 4.6 上屏测试 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（2）阱复用LIGBT与矩阵式驱动电路研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 SOI技术与SOI LIGBT的特点和发展 |
| 1.2 功率集成电路的特点及应用 |
| 1.3 本课题主要工作和创新点 |
| 第二章 SOI LIGBT器件阱复用技术 |
| 2.1 SOI LIGBT器件结构与耐压机理 |
| 2.2 SOI LIGBT器件阱复用技术 |
| 2.2.1 N-buffer与器件关态击穿电压的相关性 |
| 2.2.2 阱复用型SOI LIGBT器件耐压特性 |
| 2.3 阱复用型SOI LIGBT器件结构参数优化 |
| 2.3.1 SOI LIGBT器件关态特性 |
| 2.3.2 SOI LIGBT器件开态特性 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 低谐波电流输出模式和矩阵式驱动电路 |
| 3.1 等离子行驱动电路设计 |
| 3.2 SOI LIGBT与低谐波电流输出模式 |
| 3.2.1 低谐波电流输出模式 |
| 3.2.2 EMI整改其他辅助措施 |
| 3.3 矩阵式驱动电路 |
| 3.3.1 线性高压驱动模式 |
| 3.3.2 矩阵高压驱动模式 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 SOI LIGBT器件工艺与驱动电路认证实验与分析 |
| 4.1 SOI LIGBT工艺和容差设计 |
| 4.2 SOI LIGBT耐压蠕变 |
| 4.3 器件与电路测试与认证实验分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（3）功率驱动电路开关噪声的电磁干扰特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 功率驱动电路概述及电磁干扰问题 |
| 1.2 开关噪声与电磁干扰国内外研究现状 |
| 1.3 EMI组织机构和标准体系 |
| 1.4 本文研究内容和创新点 |
| 第二章 功率驱动电路开关噪声产生机理 |
| 2.1 功率开关器件的非线性特性 |
| 2.1.1 MOSFET器件非线性特性 |
| 2.1.2 IGBT器件非线性特性 |
| 2.2 PCB迹线的寄生电感 |
| 2.3 单开关管电路的开关振荡噪声 |
| 2.4 推挽结构电路的电源/地线上开关噪声 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 开关噪声建模及其特性研究 |
| 3.1 开关噪声的非线性建模与分析 |
| 3.1.1 单管结构开关噪声的建模与验证 |
| 3.1.1.1 单管反激变换器工作原理及状态分析 |
| 3.1.1.2 Q_1振荡噪声模型 |
| 3.1.1.3 Q_2振荡噪声模型 |
| 3.1.1.4 模型对比验证 |
| 3.1.2 推挽结构开关噪声的建模与验证 |
| 3.1.2.1 推挽PDP驱动电路工作原理及状态分析 |
| 3.1.2.2 推挽PDP驱动电路的电源/浮地上噪声模型 |
| 3.1.2.3 模型对比验证 |
| 3.2 开关噪声的时域特性分析 |
| 3.2.1 开关振荡噪声的关键参数仿真与分析 |
| 3.2.2 电源/地线上开关噪声的关键参数仿真与分析 |
| 3.2.2.1 寄生电感对开关噪声的影响 |
| 3.2.2.2 电阻对开关噪声的影响 |
| 3.2.2.3 不同电容对开关噪声的影响 |
| 3.3 开关噪声的频域特性分析 |
| 3.3.1 考虑测量带宽的频谱计算方法 |
| 3.3.1.1 一般的FFT计算方法 |
| 3.3.1.2 考虑测量带宽的FFT计算方法 |
| 3.3.2 开关振荡噪声的谱分析 |
| 3.3.3 电源/地线上开关噪声的谱分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 开关噪声的电磁干扰传输特性研究 |
| 4.1 典型传输路径分析 |
| 4.1.1 传导干扰的基本传输路径 |
| 4.1.2 辐射天线模型与PCB等效天线 |
| 4.2 基于等效路径分析的开关噪声传导干扰特性 |
| 4.2.1 传导干扰的频谱包络特性分析 |
| 4.2.2 浮地Flyback拓扑结构的共模传播模型与仿真分析 |
| 4.2.3 浮地Flyback拓扑结构的差模传播模型与仿真分析 |
| 4.3 基于三维空间模型的开关噪声辐射干扰特性 |
| 4.3.1 辐射干扰的频谱包络特性分析 |
| 4.3.2 三维空间模型的建立与线性化仿真 |
| 4.3.2.1 三维空间的PCB辐射模型 |
| 4.3.2.2 线性化仿真方法 |
| 4.3.3 辐射干扰特性的场仿真分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 开关噪声的电磁干扰抑制技术研究与验证 |
| 5.1 开关噪声的EMI抑制方法与对比 |
| 5.2 基于优化元件参数减小开关噪声的应用案例与验证 |
| 5.3 基于优化PCB布线改变传输路径的应用案例与验证 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 博士期间取得的成果 |
（4）SOI PDP扫描驱动电路设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 PDP 的市场前景分析 |
| 1.3 PDP 驱动电路的国内外动态 |
| 1.4 本文的主要工作 |
| 第二章 PDP 的工作原理 |
| 2.1 彩色PDP 的分类 |
| 2.2 表面放电型AC-PDP 的结构及工作原理 |
| 2.3 PDP 显示屏的驱动电路 |
| 2.4 PDP 显示屏的驱动方法 |
| 第三章 PDP 扫描驱动电路设计 |
| 3.1 总体功能设计 |
| 3.2 低压逻辑控制部分子模块结构和功能 |
| 3.2.1 管脚电路 |
| 3.2.1.1 LE、CLR、A/B 和CLK 管脚电路 |
| 3.2.1.2 双向端口DA、DB 管脚电路 |
| 3.2.1.3 选择器控制端OC1、OC2 管脚电路 |
| 3.2.2 96 位双向移位寄存器 |
| 3.2.2.1 D 锁存器 |
| 3.2.2.2 CMOS D 触发器 |
| 3.2.2.3 双向移位寄存器 |
| 3.2.2.4 96 位双向移位寄存器的实现 |
| 3.2.3 96 位锁存器 |
| 3.2.4 选择器 |
| 3.3 高压电平位移电路设计 |
| 3.4 电路整体功能仿真 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 实验结果 |
| 4.1 版图设计 |
| 4.1.1 版图设计规则 |
| 4.1.2 PDP 扫描驱动电路设计规则 |
| 4.1.3 PDP 扫描驱动电路版图 |
| 4.2 SOI 技术实现PDP 扫描驱动电路 |
| 4.2.1 SOI 技术概述 |
| 4.2.2 PDP 驱动电路中的SOI 技术 |
| 4.2.3 PDP 扫描驱动芯片的工艺实现 |
| 4.3 测试结果 |
| 4.3.1 高压器件测试 |
| 4.3.2 电路功能测试 |
| 4.3.3 芯片上屏测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
（5）功率集成电路兼容技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 功率集成电路简介 |
| 1.2 功率集成电路发展历程 |
| 1.3 功率集成电路的兼容技术 |
| 1.3.1 高压PIC中的终端辅助技术 |
| 1.3.2 隔离工艺技术 |
| 1.4 功率集成电路开发流程 |
| 1.5 功率集成电路存在的挑战 |
| 1.6 本论文的主要研究工作及章节内容安排 |
| 第二章 BCD工艺兼容技术的研究 |
| 2.1 BCD工艺技术 |
| 2.1.1 BCD工艺及其兼容技术 |
| 2.1.2 BCD工艺的种类和发展现状 |
| 2.1.3 BCD工艺的研究进展 |
| 2.2 用于SPIC的BCD_Z1工艺技术方案 |
| 2.2.1 SPIC电路及其工艺 |
| 2.2.2 工艺设计的依据 |
| 2.2.3 BCD_Z1工艺流程设计 |
| 2.2.4 可实现的器件 |
| 2.3 用于高压平板显示驱动IC的BCD_Z2工艺技术方案 |
| 2.3.1 平板显示高压驱动IC及其BCD工艺 |
| 2.3.2 隔离技术的选择 |
| 2.3.3 BCD_Z2工艺设计的依据 |
| 2.3.4 BCD_Z2工艺流程设计 |
| 2.3.5 可实现的器件和元件 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 基于BCD_Z1工艺方案的双RESURF结构LDMOS器件及PWM开关电源SPIC的设计和实现 |
| 3.1 横向功率器件 |
| 3.1.1 可集成的几种功率器件 |
| 3.1.2 LDMOS器件 |
| 3.1.3 LIGBT器件 |
| 3.1.4 LDMOS和LIGBT的性能比较 |
| 3.2 双RESURF结构LDMOS器件的设计和优化 |
| 3.2.1 双RESURF结构LDMOS器件的原理和设计 |
| 3.2.2 工艺参数对LDMOS器件性能参数的影响 |
| 3.2.3 优化之后的LDMOS器件的结构和参数 |
| 3.3 集成双RESURF结构LDMOS的 PWM开关电源 SPIC的设计 |
| 3.3.1 开关电源原理 |
| 3.3.2 开关电源SPIC的功能及结构 |
| 3.3.3 开关电源 SPIC的电路模块设计和仿真 |
| 3.3.4 开关电源 SPIC的版图设计和验证 |
| 3.4 LDMOS器件及PWM开关电源 SPIC的测试和应用 |
| 3.4.1 LDMOS器件及 PWM开关电源 SPIC的流片 |
| 3.4.2 LDMOS器件的测试分析 |
| 3.4.3 PWM开关电源 SPIC的测试 |
| 3.4.4 PWM开关电源 SPIC的应用 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 基于BCD_Z2工艺方案的平板显示驱动 IC的器件设计和优化 |
| 4.1 BCD_Z2工艺方案涉及的器件 |
| 4.2 BCD_Z2工艺方案关键器件的工艺参数调整 |
| 4.2.1 高压输出 VDMOS器件 |
| 4.2.2 HV-PMOS器件 |
| 4.2.3 标准 CMOS器件 |
| 4.2.4 其他一些器件的优化 |
| 4.2.5 调整后的所有工艺参数 |
| 4.3 设计规则的确定 |
| 4.4 基于Cadence平台的Diva验证工艺文件的编写 |
| 4.5 器件设计、制造和测试 |
| 4.5.1 器件版图设计 |
| 4.5.2 器件制造 |
| 4.5.3 器件测试和工艺调整 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 功率集成技术中一种计算集成 VDMOS管导通电阻的解析模型 |
| 5.1 集成 VDMOS器件导通电阻的研究概况 |
| 5.2 集成 VDMOS器件的3维解析建模 |
| 5.2.1 一般集成 VDMOS器件结构 |
| 5.2.2 传统二维解析模型 |
| 5.2.3 三维解析模型的建立 |
| 5.2.4 传统二维模型和新建三维解析模型的比较 |
| 5.3 三维解析模型的应用 |
| 5.3.1 解析模型中参数的确定 |
| 5.3.2 解析模型的应用分析 |
| 5.3.3 利用模型进行器件布局的设计 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 基于BCD_Z2工艺方案的 PDP显示扫描驱动 IC的设计和实现 |
| 6.1 PDP显示系统及其扫描驱动 IC |
| 6.1.1 PDP显示器发展概况 |
| 6.1.2 PDP显示原理 |
| 6.1.3 PDP扫描驱动 IC的功能和结构 |
| 6.1.4 PDP扫描驱动 IC的技术指标 |
| 6.2 PDP扫描驱动 IC的电路设计和仿真 |
| 6.2.1 输入/输出电路模块 |
| 6.2.2 移位寄存器和锁存器单元电路 |
| 6.2.3 驱动控制单元电路 |
| 6.2.4 高压输出单元电路 |
| 6.2.5 整体电路设计和仿真 |
| 6.3 PDP扫描驱动 IC的版图绘制和验证 |
| 6.3.1 版图的绘制 |
| 6.3.2 版图的验证 |
| 6.4 PDP扫描驱动 IC的制造和测试 |
| 6.4.1 PDP扫描驱动 IC的制造和封装 |
| 6.4.2 芯片功能和性能测试 |
| 6.4.3 测试总结 |
| 6.5 小结 |
| 第七章 总结和展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 附录 |
| 参考文献 |
| 作者已发表和录用的文章 |
| 致谢 |
（6）PDP高压驱动芯片可靠性研究及验证方法（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 等离子显示器（PDP）简介 |
| 1.2 PDP驱动芯片及其可靠性 |
| 1.3 本论文所做的工作 |
| 第二章 PDP显示原理与驱动电路 |
| 2.1 PDP显示原理 |
| 2.2 AC PDP驱动方法 |
| 2.2.1 ADS驱动法及多灰度级显示 |
| 2.2.2 ALIS驱动法 |
| 2.3 AC PDP的驱动电路 |
| 2.3.1 AC PDP 整机电路结构 |
| 2.3.2 各电极高压驱动电路 |
| 2.3.3 能量复得电路 |
| 2.3.4 功率控制与输出单元电路 |
| 2.3.5 高压驱动集成电路 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 PDP驱动芯片的测试与可靠性分析 |
| 3.1 PDP驱动芯片XD170 与XD100 简介 |
| 3.2 芯片测试 |
| 3.2.1 芯片的逻辑功能测试 |
| 3.2.2 芯片的逻辑功能测试条件 |
| 3.2.3 芯片的逻辑功能测试结果及分析 |
| 3.2.4 芯片直流特性的测试 |
| 3.2.5 芯片的上机测试与破坏性实验分析 |
| 3.3 PDP驱动芯片的可靠性分析 |
| 3.3.1 电迁移 |
| 3.3.2 闩锁效应 |
| 3.3.3 隔离 |
| 3.3.4 功率器件的可靠性 |
| 3.3.5 静电放电可靠性设计 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
（7）AC-PDP寻址驱动芯片的研究和设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 课题的背景 |
| §1.2 PDP技术发展的历程及现状 |
| §1.2.1 PDP技术的发展历程 |
| §1.2.2 国内外PDP技术发展的现状 |
| §1.3 PDP与CRT、LCD的对比 |
| §1.4 PDP今后发展的方向 |
| §1.5 本课题研究的对象和意义 |
| 第二章 PDP的工作原理 |
| §2.1 彩色等离子显示器的分类 |
| §2.2 表面放电型AC-PDP的工作过程 |
| §2.3 八子场灰度显示原理 |
| §2.4 彩色AC-PDP的系统结构 |
| 第三章 PDP寻址驱动芯片的设计 |
| §3.1 芯片STV7610A简介 |
| §3.2 芯片STV7610A工作原理 |
| §3.3 数字电路的设计 |
| §3.3.1 D触发器的设计 |
| §3.3.2 16位移位寄存锁存器电路 |
| §3.3.3 锁存器 |
| §3.3.4 16位移位寄存锁存电路 |
| §3.3.5 管脚电路 |
| §3.3.6 多路输出电路 |
| §3.3.7 数字电路的全电路分析 |
| §3.4 高压电平转换电路 |
| 第四章 高压器件的设计 |
| §4.1 功率器件的设计 |
| §4.1.1 VDMOS的设计 |
| §4.1.2 VDMOS具体参数的设计 |
| §4.1.3 对HV-PMOS的设计 |
| §4.1.4 对其他远器件的设计 |
| 第五章 版图的设计和物理的实现 |
| §5.1 电路版图的设计 |
| §5.1.1 数字部分版图的绘制 |
| §5.1.2 高压器件版图的绘制 |
| §5.2 整体版图的绘制和测试电路的截取 |
| §5.3 工艺流程的介绍 |
| 第六章 芯片的测试和结果的分析 |
| §6.1 测试方法总体介绍 |
| §6.2 测试结果的分析 |
| §6.2.1 对各管子Vto的测试 |
| §6.2.2 对各管子耐压性能的测试 |
| §6.2.3 对各管子I-V特性的测试 |
| §6.3 管子测试结果的小结 |
| §6.4 测试电路测试方案研究 |
| §6.4.1 测试方案的确定和测试电路的生成 |
| 回顾与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（8）SMPDP等效电路模型的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 显示技术及PDP技术发展概况 |
| 1.1.1 显示技术的发展 |
| 1.1.2 PDP技术的发展概况 |
| 1.1.3 PDP基本工作原理 |
| 1.1.4 主流PDP结构介绍 |
| 1.2 当今PDP技术研究方法的发展 |
| 1.2.1 PDP工作特性模拟仿真技术的发展 |
| 1.2.2 流体力学模型仿真技术的发展 |
| 1.2.3 等效电路模型仿真技术的发展 |
| 1.2.4 两种模拟仿真技术的对比 |
| 1.3 PDP等效电路模型研究方法简介 |
| 1.3.1 电路分析软件PSpice基础 |
| 1.3.2 PDP的等效电路模型研究方法的发展现状 |
| 1.4 SMPDP相关的研制与仿真技术的发展 |
| 1.4.1 SMPDP技术的发展过程 |
| 1.4.2 SMPDP模拟仿真技术的发展 |
| 1.5 论文的主要研究目的及内容 |
| 1.5.1 论文的研究目的及意义 |
| 1.5.2 论文的主要研究内容 |
| 1.5.3 论文的主要成果 |
| 第二章 SMPDP工作原理及特性测试 |
| 2.1 SMPDP放电单元的结构 |
| 2.2 SMPDP工作机理及其驱动系统设计 |
| 2.3 SMPDP放大单元的放电过程测量 |
| 2.4 SMPDP整屏电气特性测量 |
| 2.4.1 老练系统整屏点亮前后I-V特性变化实验 |
| 2.4.2 老练系统维持脉冲工作频率对I-V特性的影响实验 |
| 2.4.3 老练系统驱动显示面积对电路特性的影响实验 |
| 2.4.4 显示图案对SMPDP视频显示系统特性的影响实验 |
| 2.4.5 对SMPDP局域负载与整屏负载关系之间影响关系的推论 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 SMPDP等效电路模型设计 |
| 3.1 SMPDP单元等效电路模型基本方案设计 |
| 3.1.1 SMPDP基本等效电路模型的建立 |
| 3.1.2 SMPDP基本等效电路模型的修正 |
| 3.1.3 SMPDP等效电路模型的验证 |
| 3.2 SMPDP放电单元等效电路与整屏等效电路的转换关系 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 SMPDP等效电路模型的应用 |
| 4.1 SMPDP等效电路模型对壁电荷工作原理的仿真 |
| 4.2 SMPDP等效电路模型对能量复得电路工作过程的仿真 |
| 4.2.1 SMPDP能量复得电路的设计 |
| 4.2.2 SMPDP能量复得电路功能的模拟 |
| 4.3 SMPDP等效电路模型对辅助维持脉冲工作原理的解释 |
| 4.4 SMPDP等效电路模型中各电路参数灵敏度分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 SMPDP等效电路模型参数关联因素 |
| 5.1 SMPDP等效电路模型中参数的关联因素分析 |
| 5.2 SMPDP单元等效电容的流体力学模型计算 |
| 5.2.1 行电极宽度变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.2 介质层介电常数对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.3 介质层厚度的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.4 荫罩高度的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.5 荫罩孔开口率的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.3 SMPDP整屏等效电容参数选取的经验公式 |
| 5.4 关于SMPDP电容值的讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（9）SMPDP波形研究及优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 等离子体显示器（PDP）概述 |
| 1.1.1 PDP的发展历史 |
| 1.1.2 PDP的特点和存在问题 |
| 1.1.3 等离子体显示屏的典型结构及新型结构 |
| 1.1.4 PDP基本工作原理 |
| 1.2 SMPDP显示屏结构和驱动方法 |
| 1.2.1 SMPDP基本结构 |
| 1.2.2 SMPDP驱动方法 |
| 1.2.3 ACC-PDP常用的驱动方法 |
| 1.3 课题主要工作及意义 |
| 第2章 交流等离子屏基本工作原理 |
| 2.1 交流等离子屏的记忆效应 |
| 2.2 WVIO曲线分析方法 |
| 2.3 实验系统及相应仪器 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 重置波形的研究和规划 |
| 3.1 重置期的作用 |
| 3.1.1 重置期前屏单元壁电压分析 |
| 3.1.2 重置期的作用 |
| 3.2 几种现有的重置方案比较 |
| 3.3 重置波形的提出和参数分析 |
| 3.3.1 SMPDP重置波形及放电特性分析 |
| 3.3.2 重置波形参数的正常工作范围 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 寻址波形的研究和优化 |
| 4.1 寻址的基本原理 |
| 4.2 寻址波形的研究 |
| 4.2.1 缩短寻址时间的意义及方法 |
| 4.3 SMPDP中影响寻址时间的因素 |
| 4.3.1 寻址时间的组成 |
| 4.3.2 有关寻址放电延迟的实验 |
| 4.3.3 对于补偿priming效果的讨论 |
| 4.4 扫描电压与寻址电压的范围 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 维持波形的优化 |
| 5.1 维持的基本原理 |
| 5.1.1 维持期屏单元壁电荷变化情况 |
| 5.1.2 维持期屏单元壁电压稳定性分析 |
| 5.1.3 提高发光效率的维持驱动方式 |
| 5.2 维持波形参数的选择 |
| 5.3 25 英寸SMPDP驱动波形及参数 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（10）彩色PDP显示控制电路设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪言 |
| 1 PDP 的历史和前途 |
| 2 本课题的研究内容和意义 |
| 第一章 PDP 基本工作原理 |
| 1.1 气体放电原理 |
| 1.2 PDP 的基本结构和分类 |
| 1.3 PDP 的灰度显示原理 |
| 1.4 三电极表面放电型 PDP 的ADS 子场驱动方法 |
| 第二章 实验屏电路系统 |
| 2.1 实验屏电路系统架构 |
| 2.2 接口电路概述 |
| 2.3 脉冲产生电路设计 |
| 2.4 能量恢复电路原理 |
| 2.5 能量恢复电路设计 |
| 2.6 高压驱动芯片概述 |
| 第三章 彩色 PDP 显示控制电路的设计 |
| 3.1 实验屏显示控制电路硬件方案 |
| 3.2 实验屏显示控制电路逻辑方案 |
| 3.3 开关电源介绍与接口逻辑设计 |
| 3.4 ADS 子场控制逻辑设计 |
| 3.5 ROM 时序控制子逻辑设计与寻址数据重组 |
| 3.6 扫描与寻址驱动逻辑设计 |
| 3.7 脉冲产生电路控制逻辑设计 |
| 3.8 总体逻辑编译与下载 |
| 第四章 彩色PDP 显示控制电路的调试 |
| 4.1 驱动控制逻辑调试 |
| 4.2 图像数据处理逻辑调试 |
| 4.3 向FLASH 烧写图像 |
| 4.4 动态显示 |
| 4.5 测试结果 |
| 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 就读研究生期间发表的论文 |
四、PDP扫描电极驱动芯片的研制（论文参考文献）
- [1]行扫描驱动高压SOI横向功率器件与电路特性研究[D]. 梁涛. 电子科技大学, 2016(02)
- [2]阱复用LIGBT与矩阵式驱动电路研究[D]. 黄勇. 电子科技大学, 2016(02)
- [3]功率驱动电路开关噪声的电磁干扰特性研究[D]. 何晓莹. 东南大学, 2015(08)
- [4]SOI PDP扫描驱动电路设计[D]. 刘新新. 电子科技大学, 2010(04)
- [5]功率集成电路兼容技术的研究[D]. 洪慧. 浙江大学, 2007(06)
- [6]PDP高压驱动芯片可靠性研究及验证方法[D]. 韩进辉. 西安电子科技大学, 2007(06)
- [7]AC-PDP寻址驱动芯片的研究和设计[D]. 叶晓伟. 浙江大学, 2006(02)
- [8]SMPDP等效电路模型的研究[D]. 汤勇明. 东南大学, 2006(04)
- [9]SMPDP波形研究及优化[D]. 吴可. 东南大学, 2006(04)
- [10]彩色PDP显示控制电路设计[D]. 王小峰. 东南大学, 2006(04)