一、高精度快响应大功率磁控管微波源的研制（论文文献综述）
陈青云[1]（2020）在《碳纳米管冷阴极电子光学系统及返波管研究》文中研究说明真空电子器件在国民经济和国家军事领域有着广泛的应用价值。传统的真空电子器件采用热阴极技术,其缺点是:需要灯丝加热,工作体积庞大;预热时间较长,响应速度慢;工作需要一定的温度,室温下不能工作。场致发射冷阴极由于其自身的优势:无需加热,室温下可以正常工作,响应速度较快,可以实现器件的瞬时性,被人们提出应用于真空电子器件。碳纳米管成为目前场致发射较为理想的冷阴极材料。其优势是:容易生长,成本低;相比于金属尖端,碳管材料不易损坏;具有相当可观的发射电流密度。结合以上诸多分析,本人选用碳纳米管作为发射电子源材料进而设计研究基于冷阴极的大功率真空电子器件。电子光学系统是真空辐射源一个至关重要的组成部分之一,因此,研制具有高质量电子注、大发射电流密度的碳纳米管冷阴极电子光学系统是本论文的一大研究重点。结合该项工作初期的理论计算和实验探索,提出了三种结构的电子光学系统:第一种是单栅结构的阵列式碳纳米管冷阴极电子光学系统,该结构采用栅控式场致发射,可以降低调节电压值;该结构的阴极基底采用的是柱状阵列,柱状体位于控制栅网网孔投影正下方,即每一个阴极柱与栅网网孔同轴,可以有效解决栅网截获的问题,柱状阵列有效降低静电屏蔽的同时可以提高场发射增强因子。仿真结果发现,该电子枪电子注通过率可达100%,阴极表面电场强度为4.8 kV/mm时,0.18 mm2有效发射面积的总发射电流为7 mA。第二种是双栅控制式平面阴极碳纳米管电子光学系统,该结构阴极表面采用阴极栅网对其阵列化,有效解决栅网截获、静电屏蔽效应等问题;与第一种结构相比,其最大的优势就是,该结构采用的是一个完整平面的冷阴极基底,对碳管种植技术要求不高,且阴极基底加工难度大大减小。仿真结果显示,在7.1 kV/mm阴极表面电场强度下,获得总发射电流达76.4 mA,穿过栅网及阳极筒后最终获得电流为76.3 mA,电子注通过率达100%,电子束压缩比为1/10.6。三极管实验结果显示,在7.154 kV/mm阴极表面电场强度下,获得总发射电流达77.1 mA,栅网截获电流为12.1 mA,阳极最终获得65 mA电流,电子注通过率达84.31%。第三种是曲面碳纳米管冷阴极双阳极电子光学系统,该结构采用台锥侧壁作为冷阴极发射面,由于该结构的特殊性,阴极发射面面积被大大提高,从而可以增大发射电流。与第一种和第二种的栅控式结构相比,该结构采用的是控制阳极,无需栅网,有效解决栅网截获问题,很大程度上提高了电子注通过率。仿真结果显示,在6.9 kV/mm阴极表面电场强度下,获得总发射电流达230 mA,电子注通过率达100%;电子束由最初的46.34πmm2被压缩到0.9πmm2,电子注压缩比为1/51.5。二极管实验结果显示,在7 kV/mm的电场强度下,获得最大发射电流为260 mA。第二种和第三种结构有实验结果的验证,因此采用这两种电子光学系统设计了8 mm和0.22 THz两个频段的返波管振荡器。在8 mm频段的返波管振荡器热腔仿真计算的结果中显示,利用第三种电子光学系统结构获得工作电流220 mA,该返波管平均输出功率为180495 W。在220 GHz频段的返波管振荡器热腔仿真的结果中显示,利用第二种电子光学系统结构获得工作电流50 mA,当工作电压为21 kV时,平均输出功率为32 W。基于第三种电子光学系统的8 mm盘荷波导返波管的热测实验结果显示,工作电压调谐范围为36.8837.8 kV时,有两个频率输出信号,分别是33.412 GHz和33.645 GHz,对应工作电流分别是285 mA和248 mA,最大输出功率分别为240 W和230 W。这个实验的输出采用的是一个8 mm圆波导TM01转矩形波导TE10的模式变换器,该模式变换器内两个目标模式之间的传输系数达-1dB时的频率范围为32.334.7 GHz,模式纯度大于99.5%。这项工作是迄今为止首次验证碳纳米管冷阴极在真空电子器件中可以实现百瓦量级的功率输出,其标志着碳纳米管冷阴极在真空电子器件应用中有了跳跃性的进步,为今后小型化、紧凑型的大功率真空辐射源提供了新的实现方法,为发展5G时代的高功率、高频率、超宽带的微型纳米冷阴极辐射源开启一个前沿探索研究。
毋召锋[2]（2019）在《高速大功率限幅技术研究》文中指出信息化技术不断发展成熟,用频设备的数量越来越多,辐射源的功率越做越大,强电磁武器技术发展也极为迅速,电子信息系统面临着前所未有的强电磁威胁。高速大功率限幅技术是目前射频前端防护最有效的手段之一。本文主要围绕应用于传输线和天线的高速大功率限幅技术展开了研究。首先,研制了一款宽带高速大功率集成限幅器。通过对比分析各种限幅电路的优势和局限性,充分利用Si基PIN二极管耐受功率高,Ga N肖特基二极管响应速度快且能为PIN二极管提供直流偏置,Ga As二极管响应时间短、泄露功率小的特点,设计了一款由三种半导体器件级联而成的高速大功率限幅器。设计的限幅器可以工作在10MHz～4GHz,在整个频段内插入损耗小,响应速度快,耐受功率大。设计的限幅器可以封装在10mm×10mm×1.5mm的管壳中,具有很强的实用性。然后,设计了一种对大功率信号表现为带阻滤波器的新型级联式波导能量选择滤波防护器件。分析了滤波器单元结构尺寸与频率响应特性的关系,研究了单元结构和阵列结构对应的等效电路,结合数值仿真阐述了能量选择滤波器的工作原理。为了扩展频段和提高耐受功率,完成了单元级联阵列设计。最后,制作加工了一个单元的结构和九单元阵列。测试结果表明,设计的阵列在波导工作的频率范围内插入损耗较小,同时对大功率注入的信号具有强反射性,可获得良好的防护效果。最后,提出了一种新型的限幅与天线一体化设计方法,将限幅技术直接集成在天线端,仿真实现了天线对强电磁信号的自适应防护。本文以Ka频段天线为例,设计了一款高增益低剖面天线。随后,在天线表面电场最集中的地方加载二极管,通过仿真可以看到天线的主瓣增益随着入射功率的增大逐渐减小,最大可以提供11 d B的防护效果,从而实现主瓣方向的强电磁防护效果。
刘永芳[3]（2019）在《紧凑型高性能脉冲调制器的研究》文中提出高功率脉冲调制器是直线加速器微波功率源系统的重要组成部分。随着高梯度紧凑型X波段加速结构的发展,对高功率X波段速调管调制器提出了更高的要求。脉冲调制器的性能直接决定了速调管输出高功率微波的性能,从而进一步影响到直线加速器束流品质。对脉冲调制器来说,稳定性是其最重要的一个指标。脉冲调制器的稳定性对速调管输出微波幅度和相位都有影响,本文定量描述了脉冲调制器稳定度与速调管输出微波幅度及相位的关系,并进一步推导了脉冲调制器稳定度对束流能量稳定性的影响。针对上海软X射线自由电子激光装置10套脉冲调制器稳定性进行了测量,经过对测量结果进一步的分析提出了如下几个假设:1、对于一台特定的恒流谐振充电电源其对脉冲形成网络的充电台阶是固定的,更高的充电电压会得到更好的稳定性测量结果;2、闸流管的导通特性也会对稳定性造成影响。基于上述假设,分析了充电电源的原理,对充电电源原理的分析及仿真阐明了LC谐振参数与充电台阶的关系。并进一步给出了双回路LC谐振变换器充电措施提高稳定性的可行性和必要性。对于闸流管导通特性可以通过采用直流加热电源和采用与工频交流电同步的触发信号等措施来改善。本课题研制了适用于X波段50MW速调管的新一代油浸式高性能脉冲调制器。该调制器是世界首台适用于X波段50MW速调管的紧凑型油浸式脉冲调制器,填补了国内油浸式脉冲调制器研制的空白。脉冲成形是基于阻抗匹配情况下的集总参数脉冲形成网络放电实现的,文中给出了脉冲形成网络的详细设计方法。开关器件采用油冷闸流管CX1836。脉冲变压器作为脉冲调制器中的关键部件对脉冲波形有很大的影响,文中给出了X波段高功率脉冲变压器的详细设计并进一步分析了脉冲变压器相关参数对脉冲波形的影响,尤其是对脉冲前沿、脉冲顶降、顶部振铃等的影响。该脉冲调制器的设计指标为脉冲电压427kV,脉冲电流304A,顶宽不低于1.5μs,半高宽不高于3.5μs,脉冲底宽平坦度小于2%,重复频率50Hz。实验室进行了假负载条件下的测试。测试结果显示指标均达到了设计指标。
李小兵[4]（2019）在《基于碳纳米管场致发射阴极的分布式X射线源的研制》文中研究说明X射线检测在现代医学、生物科学以及工业检测等领域有着越来越重要的作用,对X射线源的性能和制备工艺也提出更高的要求。传统的利用热阴极X射线CT球管进行检测的设备,响应慢,延迟高,能耗大,寿命短,体积也大。并且单个球管进行CT成像时需要围绕目标物体进行高精度的旋转运动,从而获得多个角度的图像信息才能进行下一步的CT图像重建,耗时高效率低,而且机械运动更容易引起成像模糊,几何误差变大等风险,已经逐渐无法满足现有的需求条件。针对传统CT球管的上述缺陷,本论文创新研制了场发射阵列X射线源:阵列式X射线源不需要进行高精度旋转运动就可完成CT重建,可以实现静态扫描;单个X射线源的功耗大大降低;还可以通过栅极控制快速切换X射线源对高速运动物体成像,大大减少运动模糊;在CT成像过程中X射线源脉冲工作,角度切换的时候可以快速关断,使无效剂量大大降低并且有效降低了运动模糊等众多优点。目前国内关于利用碳纳米管制备的阵列式X射线源这方面还几乎处于空白。本论文的的核心是制备了一种基于碳纳米管的阵列式X射线源实物,X射线源为三极管结构,采用脉冲控制,单个源的脉冲电流可达300mA,阳极工作电流可达200mA。优化电子枪后其有效焦斑面积仅有0.1mm2左右,可以实现更快的更稳定的CT成像检测。本论文的研究内容主要如下:一、碳纳米管垂直阵列的生长及转移1.通过调整光刻工艺流程中的参数,解决了光刻图案模糊,图案脱落,图案线宽不适等问题,在整个硅片光刻出了均匀的边缘呈倒台状的阵列图案。2.通过蒸镀多层功能不同的金属薄膜,利用微波等离子体化学气相沉积方法,克服了碳纳米管生长长度不均匀,与基底结合不牢,密度不合适等问题,制备出了形貌整齐最大发射电流可达500mA以上,电流密度为5.7A/cm2的碳纳米管阵列。3.利用焊料和粘结剂两种转移方法对在硅基片上定向生长的碳纳米管阵列进行转移,目标基片为钼片,转移后的碳管实现了与基底非常牢固的结合,拥有更强大的抗性。4.对前面处理完成的碳纳米管薄膜在扫描电镜下进行观察形貌并分析,发现各种方法制备碳管阵列存在的问题并改进。测试主要包括场发射阈值的检测,阴极发射电流大小,电流密度以及I-V变化曲线。并根据测试结果进行分析。二、X射线源的结构设计仿真根据需求对三极管结构X射线源的阴极、栅极和阳极等各个结构进行精确建模,并通过采用有限元方法的电磁仿真软件对模型进行解算和仿真分析。最终通过不断优化结构得到了电子束焦点面积仅为0.2×0.4mm2有效焦点为0.2×0.2mm2的射线源结构模型,并进一步对阵列X射线源进行了建模仿真和整体结构设计。三、对阵列式X射线源的装配和成像测试按照设计的结构,对各种零件进行高精度装配成为一个整体的结构,经过超高真空烘烤排气成功制备了阵列式碳纳米管X射线源。在一个阵列式X射线源内包含有21个独立的X射线源。然后通过搭建的测试系统对射线源的相关性能进行测试,阳极工作电流可达200mA以上,成像测试结果证明,相比传统的热阴极射线源,研制的碳纳米管场发射阵列式X射线源启动速度快,成像分辨率高,有着更快的扫描速度和更稳定的成像效果,并获得了清晰的三维CT图像。是对国内外目前相关技术领域的一大补充。
盖之慧[5]（2016）在《基于超导HEB的太赫兹信号检测》文中进行了进一步梳理太赫兹（THZ）检测技术可分为外差（相干）检测和直接（非相干）检测,不同的检测技术所采用的检测器也并不相同；但其实除了一些响应时间较长的热检测器,很多检测器既可以用作外差检测也可以用作直接检测,超导热电子测辐射热计（HEB）就是其中一种。当超导HEB器件工作在其临界温度TC附近时,温度的微小变化就可以引起器件阻值很大变化,即工作在TC附近的器件可通过其阻值变化来测量所受到的THz源辐射的强度,基于这一特性超导HEB器件可用作直接检测。本文介绍了一种通过注入微波来驱动超导HEB器件实现太赫兹直接检测的方法,并且搭建了一套基于超导NbN HEB的太赫兹直接检测系统。该系统采用易调控的微波来驱动超导NbN HEB芯片,通过给超导NbN HEB加上合适的微波信号（频率为1.5 GHz、功率为-16.52 dBm）和直流偏置（偏置电压为0.25 mV、偏置电流为12μA）,使其偏置在最佳工作点来进行太赫兹信号的直接检测。测得该系统的最佳噪声等效功率为8×10-12 W（?）Hz,且系统响应与入射信号的功率始终线性相关。此外,本文利用该超导NbN HEB直接检测系统结合自行开发的傅里叶变换光谱仪（FTS）实现了一套太赫兹信号的快速直接检测系统；将该直接检测系统应用于金属网格滤波器频率特性和THz量子级联激光器（QCL）脉冲模式下的辐射谱的测量,同时还使用商用常温高莱（Golay）检测器和低温半导体测辐射热计检测器与其进行对比实验,测量结果表明我们初步构建的基于超导NbN HEB直接检测器的系统已具有高于Golay检测器、并与商用Bolometer检测器同等的性能,且响应速度远远快于这两种商用检测器。
宋朝晖,唐华,雷建军,瞿逢重,邢玲,熊小芸[6]（2016）在《项目计算机辅助受理的申请代码与研究方向》文中指出本文首先对2015年度信息一处的计算机辅助受理情况进行了简要的介绍和分析,然后以表格的形式说明了2015年度项目申请代码、研究方向选择中存在的主要问题。最后介绍了2016年度申请代码和研究方向及相关说明一览表的试用版,并强调了选择中应该注意的两个问题。
韩汶洪[7]（2015）在《N型纳米金刚石微结构的制备及其在S波段微波场发射性能研究》文中认为随着真空微电子、高功率微波、太赫兹技术的快速发展,现有的热阴极和光阴极难以满足射频电子枪对电子束源的要求,发展具有优异电子束发射特性和品质的冷阴极材料已成为当前的研究热点。本论文以微波等离子体化学气相沉积法制备的掺氮N型纳米金刚石（N-NCD）薄膜为研究对象,通过磁控溅射在薄膜表面沉积金属Ni纳米膜,进一步加热Ni纳米膜去润湿后原位形成金属Ni纳米颗粒,以此为掩膜板采用Ar/O2等离子体刻蚀技术,实现了纳米金刚石薄膜的表面微结构化。通过扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、Raman光谱等测试技术详细研究Ni纳米膜沉积工艺、Ni纳米膜热退火工艺以及Ar/O2等离子体刻蚀工艺参数对N-NCD薄膜微结构化的影响。最后,以所制备的N-NCD微结构为阴极,在S波段微波脉冲电场的激励下,测试并比较了Ar/O2等离子体表面微结构化处理对其微波场场致电子发射性能的影响。实验结果表明:（1）金属Ni纳米颗粒的密度大小、分布均匀程度与磁控溅射镀Ni膜厚度和热退火处理时间紧密相关。当溅射Ni膜厚度为6nm,热退火时间超过20min后,在N-NCD薄膜表面所形成的Ni纳米金属球密度最高、分布均匀性最好;（2）在等离子体刻蚀过程中,加入一定比例的Ar可以增加等离子体对金刚石膜的刻蚀程度。当Ar浓度为45%时,等离子体刻蚀能够形成具有一定刻蚀深度、分布均匀、一致性高的多孔状微结构;（3）表面微结构化处理有助于提高N型纳米金刚石薄膜阴极的S波段微波场场发射电流密度,在72.1 MV/m的微波梯度场下,发射电流密度增加量为41%左右。
王金烨[8]（2015）在《金刚石/纳米碳复式场发射阴极的制备和性能研究》文中进行了进一步梳理金刚石具有许多优异的特性,比如高热导率、高击穿电压、耐辐射性、低热膨胀系数和良好的化学稳定性,因此被人们认为是下一代半导体器件的重要候选之一。由于其还具有良好的场发射效果,有望作为平板显示用冷阴极或作为冷电子源应用于平板显示、大功率微波管等领域。纳米碳基薄膜包括纳米片、纳米管、纳米棒、纳米粒、纳米线等,由于其具有独特的光电、物理、化学、机械和压电特性,近年来得到了飞速发展。其作为阴极电子源时开启电场较低,故引起了人们极大的兴趣。研究出场致电子发射特性优异的碳基电子“发射器”逐渐成为研究热点。目前,制备碳基薄膜的方法主要有氧化还原法、杆涂层法、外延生长法、叠层法和化学气相沉积（CVD）法。相较于其它制备方法,CVD法能够制备出更大面积和更高形貌密度的碳基薄膜,过程更加可控,不存在电极污染物,并且可以维持较低的成本。本文的研究工作主要是利用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法在硅片上合成了一种新的复式场发射阴极。这个新器件通过依次在硅片上沉积一层金刚石薄膜和一层纳米碳薄膜制备而得。实验过程中,我们利用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、X射线衍射（XRD）谱和拉曼（Raman）光谱等检测手段对所制得的各膜层的表面形貌、组成结构等进行了各种测试分析,最后利用我们实验室拥有的CS-380高真空测试台在1×10-4Pa的高真空度下对其场发射特性进行了检测和分析。最后发现这种“金刚石/纳米碳膜”复式场发射阴极,比单层纳米碳阴极具有更高的场发射电流密度（相比同一实验条件下制备的单层碳膜,复式阴极的最大场发射电流密度提高2倍以上）;同时复式场发射阴极也比单层金刚石具有更好的场发射特性和更低的开启电场,我们对实验结果进行了较为合理的解释。本文的研究结果表明金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极是一种极具潜力的高效场发射阴极。
李宗朝[9]（2013）在《大功率微波电源控制方案的研究》文中进行了进一步梳理微波等离子体技术具有极其广阔的应用领域，如等离子体增强化学气相沉积、等离子体表面处理以及等离子体刻蚀等。微波电源作为微波等离子体设备的核心，其输出功率的不稳定性将直接制约着微波等离子体技术的应用与发展，因而，研究高稳定输出的大功率微波电源是微波等离子体技术中的一项重要课题。磁控管是获取大功率微波能的主要电力电子器件，其特性类似于处在正交电磁场空间下的高频二极管。在实际应用中，由于磁控管的工作条件极为严格，若没有完善的控制方案，细微的阴极电压或阳极电流波动，都将造成磁控管输出功率的很大变化。实验结果表明，一旦磁控管进入正常工作状态后，若磁控管阈值电压不变，其阴极电压可近似看做常数，因而，本文提出了一种基于单片机ATmega16L针对磁控管阳极电流调节的控制方案，在对磁控管提供稳定输入电压的同时，通过对磁控管的阳极电流进行检测采样、处理并以增量式PI（比例-积分）调节算法计算出控制参数，从而有效的调节磁场电流值的大小，最终达到微波电源稳定输出的目的。设计中采用了CK-619型大功率磁控管，并对其特性及工作原理进行了介绍，同时，又对各种常用技术方案的优劣之处进行了深入的分析，进而提出控制方案，并详细的介绍了控制方案中各个功能电路部分的具体软硬件实现方法以及对各部分的调试。本文完成了对控制方案的分析、设计以及验证等一系列的工作，为获得大功率稳定输出的微波电源提出了新的参考方案，相信在此基础上，通过对系统的不断改进，将会获得稳定输出的大功率微波电源问题将可以得到更好的解决。
江楠[10]（2010）在《微波热疗机输出功率控制及定标方法研究》文中认为微波热疗结合化疗、放疗对治疗肿瘤有显着的疗效,因而在临床上得到越来越广泛的应用。大型微波热疗机的研究开发涉及到微波测控技术,新型传感器技术,以及与单片机和PC计算机相结合的模拟、数字电路技术等等。微波热疗机的一个重要指标是微波输出功率。通常,微波源的输出功率与磁控管的阳极电流有一一对应的关系,通过测量和控制磁控管的阳极电流,就可以实现对微波功率的测量与控制,但是,功率定标非常困难。目前,微波热疗机输出功率的定标一般是采用小功率计,或专用水负载装置测量从微波谐振腔耦合到同轴电缆上输出的微波功率,并记录与之对应的磁控管阳极电流,以此作为微波热疗机输出功率的基准。但是,在实际应用时微波热疗机一般都要在同轴电缆的终端接一个辐射器,通过它辐射出微波。由于辐射器本身对经由它发射的微波有损耗,现行的这种功率定标方法是有缺陷的,它没有考虑辐射器的转换效率,因此在这种方法中测量的不是微波热疗机输出的实际微波功率。为解决微波热疗机的功率定标问题,本文从理论上研究了水的微波特性及微波与水的相互作用,计算得到了2450MHz的微波在水表面上的反射与透射系数,确认了水可以作为本文介绍的实验装置中吸收微波的负载。因此,本文以水为负载,设计制作了一整套新型的微波功率定标系统,该系统由医用微波源、微波源控制系统和微波功率测量装置组成。其中微波源采用现有微波热疗机上在用的2450MHz的微波源,控制系统则以ARM9单片机S3C2440为核心,配以外围的磁控管阳极电流采样及控制电路、温度测量电路、串口电平转换电路,JTAG接口电路等组成,控制系统的软件以linux2.6作为软件平台,在该平台下采用C语言编写驱动程序和用户应用程序。整个系统可通过JTAG口和RS232串行通讯口进行现场编程烧录,能方便地调整电路的工作状态或实现硬件控制程序的升级、更新。嵌入式系统和PC之间采用串行口通迅方式,PC机上的控制软件采用Labview设计。微波功率测量装置由玻璃容器、包裹在玻璃容器外面的绝热材料（石棉布,泡沫）、泡沫塞、测量水负载温度变化的测量探头、搅拌器、塑料罩和水组成。利用这套自制的定标系统进行大量的实验,最终确定了微波源磁控管的阳极电流与经辐射器辐射的微波功率之间的关系,由此发展了一种新的、正确的对微波热疗机实际输出功率进行定标的方法。这必将对于规范在临床上正越来越得到广泛应用的各种型号的微波热疗机的使用起到积极的作用。
二、高精度快响应大功率磁控管微波源的研制（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、高精度快响应大功率磁控管微波源的研制（论文提纲范文）
（1）碳纳米管冷阴极电子光学系统及返波管研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 场致发射冷阴极概述 |
| 1.2.1 场致发射冷阴极原理 |
| 1.2.2 场致发射冷阴极的发展现状 |
| 1.2.3 碳纳米管冷阴极的发展 |
| 1.3 基于碳纳米管的电子光学系统及真空电子器件的研究进展 |
| 1.3.1 碳纳米管电子光学系统的研究进展 |
| 1.3.2 碳纳米管真空电子器件的研究进展 |
| 1.4 毫米波及太赫兹技术的介绍 |
| 1.4.1 毫米波技术的应用与分类 |
| 1.4.2 太赫兹辐射源的应用与分类 |
| 1.5 毫米波及太赫兹返波管振荡器的研究进展 |
| 1.6 论文工作的主要内容和创新点 |
| 1.6.1 论文工作的主要内容 |
| 1.6.2 论文工作的创新点 |
| 第二章 碳纳米管场致发射理论及单栅结构电子光学系统的研究 |
| 2.1 碳纳米管场致发射基础理论 |
| 2.2 碳纳米管场致发射增强因子的仿真研究分析 |
| 2.3 电子光学系统的基础理论 |
| 2.4 平面栅控碳纳米管冷阴极三极管的实验测试 |
| 2.4.1 平面栅控碳纳米管冷阴极三极管的测试系统 |
| 2.4.2 平面栅控碳纳米管冷阴极三极管阴极测试结果分析 |
| 2.5 单栅结构阵列式碳纳米管冷阴极电子光学系统的研究 |
| 2.5.1 单栅结构阵列式碳纳米管冷阴极二极管的仿真研究 |
| 2.5.2 应用于X射线管的冷阴极微型电子枪的研究 |
| 2.5.2.1 X射线管的介绍 |
| 2.5.2.2 X射线管阵列式碳纳米管冷阴极微型电子枪的仿真研究 |
| 2.5.3 阵列式碳纳米管冷阴极基底实验加工 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 碳纳米管双栅结构和双阳极结构电子光学系统的研究 |
| 3.1 双栅控制式平面阴极碳纳米管电子光学系统的研究 |
| 3.1.1 双栅控制式平面阴极碳纳米管电子光学系统的仿真研究 |
| 3.1.1.1 基于碳纳米管平面冷阴极双栅结构二极管的仿真研究 |
| 3.1.1.2 基于碳纳米管平面冷阴极双栅控制式电子枪的仿真研究 |
| 3.1.2 双栅控制式平面阴极碳纳米管电子光学系统的实验研究 |
| 3.1.2.1 基于碳纳米管平面冷阴极二极管的实验研究 |
| 3.1.2.2 基于碳纳米管平面冷阴极双栅结构三极管的实验研究 |
| 3.2 曲面碳纳米管冷阴极双阳极电子光学系统的研究 |
| 3.2.1 曲面碳纳米管冷阴极双阳极电子光学系统的仿真研究 |
| 3.2.2 曲面碳纳米管冷阴极双阳极电子光学系统的实验研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 毫米波及太赫兹频段的盘荷波导返波管理论与仿真研究 |
| 4.1 返波管理论介绍 |
| 4.1.1 返波管工作原理 |
| 4.1.2 返波管负色散空间行波条件 |
| 4.1.3 宽频带电子调谐的条件 |
| 4.2 盘荷波导慢波线以及周期系统理论 |
| 4.2.1 慢波系统的主要特征 |
| 4.2.1.1 色散特性 |
| 4.2.1.2 耦合阻抗 |
| 4.2.2 盘荷波导作为均匀系统 |
| 4.2.3 盘荷波导作为周期系统 |
| 4.3 8mm碳纳米管冷阴极盘荷波导返波管的仿真研究 |
| 4.3.1 8mm盘荷波导周期结构高频特性的仿真研究 |
| 4.3.2 8mm盘荷波导返波管注波互作用的仿真研究 |
| 4.4 0.22THz碳纳米管冷阴极盘荷波导返波管的仿真设计研究 |
| 4.4.1 适用于0.22 THz返波管的双栅控制式冷阴极电子枪的研究 |
| 4.4.2 0.22 THz盘荷波导返波管的仿真研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于碳纳米管冷阴极8 mm返波管的实验研究 |
| 5.1 8mm圆波导TM01转矩形波导TE10模式变换器 |
| 5.1.1 圆波导TM01转矩形波导TE01模式变换器的设计与仿真 |
| 5.1.2 圆波导TM01转矩形波导TE01模式变换器的实验研究 |
| 5.2 8mm碳纳米管冷阴极盘荷波导返波管振荡器的实验测试 |
| 5.2.1 8mm碳纳米管冷阴极返波管的伏安特性测试 |
| 5.2.2 8mm碳纳米管冷阴极返波管振荡器的热腔测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 课题研究工作的总结 |
| 6.2 课题研究方向的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（2）高速大功率限幅技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 强电磁防护方法 |
| 1.2.2 限幅技术国内外研究现状 |
| 1.3 研究内容与章节安排 |
| 1.3.1 论文研究内容 |
| 1.3.2 论文章节安排 |
| 第二章 高速大功率限幅技术基础与仿真方法 |
| 2.1 限幅基本原理和常用电路拓扑结构 |
| 2.1.1 限幅器的基本原理 |
| 2.1.2 PIN二极管工作原理与等效电路 |
| 2.1.3 限幅器常用电路拓扑结构 |
| 2.2 仿真方法介绍 |
| 2.2.1 场路协同仿真 |
| 2.2.2 ADS中的两种仿真器 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 高速大功率宽带集成限幅器设计 |
| 3.1 高速大功率小型化限幅器电路分析 |
| 3.2 多级混合限幅器电路设计 |
| 3.2.1 单级PIN二极管限幅电路 |
| 3.2.2 单级PIN对管限幅电路 |
| 3.2.3 单级PIN与肖特基反向并联限幅电路 |
| 3.2.4 两级PIN二极管限幅电路 |
| 3.2.5 PIN二极管与肖特基级联限幅电路 |
| 3.2.6 PIN对管两级级联限幅电路 |
| 3.2.7 PIN对管与肖特基对管级联限幅电路 |
| 3.3 多级混合限幅电路宽带化设计 |
| 3.4 高速大功率宽带集成限幅器电路加工测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 波导能量选择滤波防护器件设计 |
| 4.1 单元结构和限幅机理 |
| 4.1.1 单元结构 |
| 4.1.2 能量选择滤波器工作原理 |
| 4.1.3 等效电路分析 |
| 4.2 加载二极管后的非线性效应 |
| 4.3 一个单元在波导中的实验测试 |
| 4.4 阵列研究和设计 |
| 4.4.1 相邻单元距离较远时 |
| 4.4.2 相邻单元距离较近时 |
| 4.4.3 阵列单元数目和组阵研究 |
| 4.5 波导能量选择滤波器阵列的加工与测试 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 限幅型天线设计 |
| 5.1 Ka频段低剖面高增益天线的仿真设计与加工测试 |
| 5.1.1 平面波纹天线研究现状 |
| 5.1.2 天线结构和设计原理 |
| 5.1.3 天线参数和仿真研究 |
| 5.2 强电磁防护与天线一体化设计与仿真 |
| 5.2.1 天线结构简化 |
| 5.2.2 二极管加载与天线方向图研究 |
| 5.3 小型天线方向图测试系统设计 |
| 5.4 测试结果 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 研究成果总结 |
| 6.2 论文不足 |
| 6.3 未来展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（3）紧凑型高性能脉冲调制器的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 |
| 1.2 电子直线加速器微波功率源系统 |
| 1.3 脉冲调制器技术概述 |
| 1.3.1 脉冲功率技术与脉冲调制器 |
| 1.3.2 脉冲调制器的基本参数 |
| 1.3.3 脉冲调制器的分类及其基本电路原理 |
| 1.3.4 脉冲调制器的应用 |
| 1.4 加速器领域脉冲调制器的发展现状 |
| 1.5 本文主要研究内容及创新之处 |
| 1.5.1 论文的主要研究内容 |
| 1.5.2 论文的创新点 |
| 第2章 脉冲调制器稳定性对微波及束流品质影响研究 |
| 2.1 速调管工作原理及重要参数 |
| 2.1.1 速调管工作原理 |
| 2.1.2 速调管的几个重要参数介绍 |
| 2.2 脉冲调制器稳定性对速调管输出微波幅度的影响 |
| 2.3 脉冲调制器稳定性对速调管输出高功率微波相位的影响 |
| 2.4 稳定性引起束流能量的变化 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 脉冲调制器性能提高研究 |
| 3.1 SXFEL脉冲调制器稳定性测量系统 |
| 3.2 SXFEL脉冲调制器稳定性测试结果及分析 |
| 3.3 充电电源对稳定性的影响 |
| 3.3.1 CCPS原理简介 |
| 3.3.2 CCPS恒流充电的条件 |
| 3.3.3 CCPS改进措施之充电回路的改进 |
| 3.3.4 CCPS改进措施之充电电源控制系统 |
| 3.4 闸流管的影响 |
| 3.4.1 闸流管的触发抖动对脉冲调制器稳定性的影响。 |
| 3.4.2 闸流管的导通管压降对脉冲调制器稳定性的影响。 |
| 3.5 EMI的影响 |
| 3.6 220V稳压电源的影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 X波段高功率油浸式脉冲调制器的研制 |
| 4.1 设计概述 |
| 4.2 传输线原理及脉冲形成网络设计 |
| 4.2.1 波在传输线上的传播方式 |
| 4.2.2 传输线的特征阻抗 |
| 4.2.3 传输线的反射系数 |
| 4.2.4 传输线上场的传输速度 |
| 4.2.5 脉冲形成网络的设计方案 |
| 4.3 闸流管的选择 |
| 4.3.1 氢闸流管简介 |
| 4.3.2 氢闸流管的工作原理 |
| 4.3.3 氢闸流管的主要特性 |
| 4.3.4 氢闸流管CX1836 |
| 4.4 脉冲变压器的设计与分析 |
| 4.4.1 脉冲变压器主要设计参数 |
| 4.4.2 脉冲变压器对输出波形的影响。 |
| 4.5 油浸式脉冲调制器中的保护电路设计 |
| 4.5.1 电源保护电路 |
| 4.5.2 EOLC保护电路 |
| 4.5.3 RC阻尼电路 |
| 4.5.4 Tail Clipper保护电路 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 油浸式脉冲调制器结构及测试 |
| 5.1 油浸式脉冲调制器结构设计 |
| 5.2 油浸式脉冲调制器波形参数测试 |
| 5.3 油浸式脉冲调制器波形调整 |
| 5.4 油浸式脉冲调制器稳定性及时间抖动 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
| 致谢 |
（4）基于碳纳米管场致发射阴极的分布式X射线源的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 X射线概述 |
| 1.2 X射线源的发展和应用 |
| 1.3 CT成像原理 |
| 1.4 阵列X射线源的优势 |
| 1.5 国内外研究现状和发展态势 |
| 1.6 本论文的内容和安排 |
| 第二章 碳纳米管场致发射阴极相关内容概述 |
| 2.1 碳纳米管介绍 |
| 2.2 场发射理论 |
| 2.3 碳纳米管场发射优势 |
| 2.4 碳纳米管阴极的制备方法 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 碳纳米管阵列阴极的制备 |
| 3.1 通过等离子增强CVD方法制备碳纳米管阵列 |
| 3.1.1 光刻工艺 |
| 3.1.2 真空镀膜工艺 |
| 3.1.3 碳纳米管阵列的生长 |
| 3.1.4 碳纳米管生长机理探索 |
| 3.2 碳纳米管阵列的转移 |
| 3.2.1 胶黏剂转移 |
| 3.2.2 焊料转移 |
| 3.3 碳纳米管阴极场发射性能测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 X射线源结构设计和仿真 |
| 4.1 X射线源的结构建模 |
| 4.2 聚焦极结构对电子束的影响 |
| 4.2.1 聚焦极位置对电子束聚焦的影响 |
| 4.2.2 聚焦极开口大小对聚焦性能的影响 |
| 4.2.3 聚焦筒长度对阳极焦点的影响 |
| 4.2.4 聚焦极倒角对阳极焦点的影响 |
| 4.3 栅极参数对电子束焦点的影响 |
| 4.3.1 栅极距离对电子束聚焦的影响 |
| 4.3.2 栅极电压对电子束聚焦的影响 |
| 4.4 优化后的X射线源聚焦性能 |
| 4.5 阵列式X射线源结构设计 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 阵列式X射线源装配及性能测试 |
| 5.1 X射线阵列源的实物制备 |
| 5.2 整管性能测试 |
| 5.2.1 X射线源场发射测试 |
| 5.2.2 X射线源焦点大小的测试 |
| 5.2.3 阵列X射线源成像测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（5）基于超导HEB的太赫兹信号检测（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 前言 |
| 1.1 太赫兹波简介及其应用 |
| 1.2 太赫兹检测技术的发展与现状 |
| 1.2.1 太赫兹检测技术的分类 |
| 1.2.2 几种常用的检测器 |
| 1.3 论文结构 |
| 第2章 超导NbN HEB直接检测系统 |
| 2.1 NbN HEB器件的结构与性能 |
| 2.1.1 器件的结构 |
| 2.1.2 器件的热电子效应 |
| 2.1.3 器件的性能 |
| 2.2 超导NbN HEB直接检测系统的搭建 |
| 2.2.1 器件驱动方式 |
| 2.2.2 系统搭建 |
| 2.3 超导NbN HEB直接检测系统的性能 |
| 2.3.1 最佳偏置点 |
| 2.3.2 系统响应特性 |
| 第3章 傅里叶变换光谱仪 |
| 3.1 原理 |
| 3.2 系统结构 |
| 3.2.1 斩波器 |
| 3.2.2 光学反射镜 |
| 3.2.3 光束分离器 |
| 3.2.4 动镜运动控制装置 |
| 3.3 系统性能指标 |
| 3.3.1 频率范围 |
| 3.3.2 系统分辨率 |
| 3.3.3 信噪比 |
| 3.3.4 分析速度 |
| 3.4 应用 |
| 3.4.1 测量检测器的频率响应 |
| 3.4.2 测量太赫兹源的发射谱 |
| 3.4.3 测量一些材料的吸收谱 |
| 第4章 基于NbN HEB的THz信号检测 |
| 4.1 金属网格滤波器频率特性的测量 |
| 4.2 量子级联激光器的辐射谱测量 |
| 4.2.1 太赫兹量子级联激光器的电光性能 |
| 4.2.2 THz QCL辐射谱的测量 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 硕士期间研究成果 |
（7）N型纳米金刚石微结构的制备及其在S波段微波场发射性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 金刚石的结构与性质 |
| 1.1.1 金刚石的结构 |
| 1.1.2 金刚石的性质与应用 |
| 1.2 N型纳米金刚石薄膜简介 |
| 1.2.1 N型纳米金刚石薄膜的生长机理 |
| 1.2.2 N型纳米金刚石膜的制备方法 |
| 1.3 金刚石薄膜微结构化的研究现状 |
| 1.3.1 金刚石薄膜微结构化简介 |
| 1.3.2 影响金刚石薄膜微结构化的因素 |
| 1.4 金刚石薄膜微结构化的发射特性 |
| 1.4.1 阴极材料发射机制 |
| 1.4.2 发射阴极的种类 |
| 1.4.3 金刚石薄膜微结构化的场发射研究现状 |
| 1.4.4 影响金刚石薄膜微结构化的场致发射因素 |
| 1.5 课题来源及主要研究内容 |
| 2 N型纳米金刚石微结构的制备及测试手段 |
| 2.1 MPCVD金刚石薄膜沉积装置 |
| 2.1.1 微波源 |
| 2.1.2 反应腔体 |
| 2.1.3 真空系统 |
| 2.1.4 水电保护系统 |
| 2.1.5 气路系统 |
| 2.2 磁控溅射沉积装置 |
| 2.3 N型纳米金刚石微结构的制备 |
| 2.3.1 N型纳米金刚石薄膜的制备 |
| 2.3.2 Ni纳米金属球的形成 |
| 2.3.3 Ar/O_2等离子体刻蚀 |
| 2.4 N型纳米金刚石微结构的表征 |
| 2.4.1 激光拉曼光谱（ Raman） |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（ SEM） |
| 2.4.3 原子力显微镜（ AFM） |
| 2.4.4 霍尔效应测试仪 |
| 2.4.5 S波段微波场发射特性测试平台 |
| 3 N型纳米金刚石微结构的表征及发射特性分析 |
| 3.1 不同CH_4浓度的N型纳米金刚石薄膜表征 |
| 3.1.1 不同CH_4浓度的N型纳米金刚石薄膜SEM分析 |
| 3.1.2 不同CH_4浓度的N型纳米金刚石薄膜Raman分析 |
| 3.1.3 不同CH_4浓度的N型纳米金刚石薄膜AFM分析 |
| 3.1.4 不同CH_4浓度的N型纳米金刚石薄膜霍尔效应测试分析 |
| 3.1.5 小结 |
| 3.2 NI膜厚度和热退火处理时间对NI纳米球的影响 |
| 3.2.1 不同Ni膜厚度对Ni纳米金属球形成的影响 |
| 3.2.2 不同热退火时间对Ni纳米金属球形成的影响 |
| 3.2.3 小结 |
| 3.3 AR/O2等离子体刻蚀对N型纳米金刚石微结构的影响 |
| 3.3.1 不同Ar浓度等离子体刻蚀后微结构SEM分析 |
| 3.3.2 不同Ar浓度等离子体刻蚀后微结构Raman分析 |
| 3.3.3 不同Ar浓度等离子体刻蚀后微结构AFM分析 |
| 3.3.4 不同刻蚀时间对微结构的影响 |
| 3.3.5 小结 |
| 3.4 N型纳米金刚石微结构的S波段微波场发射特性 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文及研究成果 |
（8）金刚石/纳米碳复式场发射阴极的制备和性能研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 场致电子发射阴极研究的重要性 |
| 1.3 金刚石薄膜概述 |
| 1.3.1 金刚石的结构 |
| 1.3.2 金刚石的性质 |
| 1.3.3 金刚石薄膜作为场发射冷阴极材料 |
| 1.4 纳米碳薄膜概述 |
| 1.4.1 碳元素的同素异形体 |
| 1.4.2 纳米碳结构作为场发射材料 |
| 1.5 本文的主要研究内容 |
| 第二章 场致电子发射理论 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 隧穿效应 |
| 2.3 场致电子发射的解释 |
| 2.4 场发射理论 |
| 2.5 场发射材料的选择标准 |
| 第三章 实验主要设备介绍 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 衬底硅片实验前的预处理设备 |
| 3.2.1 超声仪系统的工作原理及其使用方法 |
| 3.2.2 DL-720D智能型超声波清洗器的工作原理 |
| 3.2.3 DL-720D型超声仪系统的使用方法 |
| 3.3 金刚石/纳米碳复式场发射阴极的制备设备 |
| 3.3.1 MMPS-203C型微波等离子体CVD系统 |
| 3.3.2 MPCVD系统制备金刚石/纳米碳薄膜的原理 |
| 3.3.3 MPCVD系统制备薄膜的实验步骤和注意事项 |
| 3.4 金刚石/纳米碳复式场发射阴极的特性表征设备 |
| 3.4.1 光学显微镜(OM) |
| 3.4.2 扫描电子显微镜(SEM) |
| 3.4.3 X射线衍射(XRD) |
| 3.4.4 激光拉曼光谱 |
| 3.4.5 高真空场发射测试系统 |
| 第四章 金刚石薄膜和纳米碳薄膜的制备及工艺优化 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 金刚石薄膜的制备及其结构特性研究 |
| 4.2.1 金刚石薄膜的制备 |
| 4.2.2 金刚石薄膜特性的测试与分析 |
| 4.2.2.1 金刚石薄膜衬底最佳处理时间的确定 |
| 4.2.2.2 金刚石薄膜制备参数对薄膜特性的影响 |
| 4.3 压强、CH_4/H_2、沉积时间对纳米碳膜的结构及场发射性能的影响 |
| 4.3.1 MPCVD各工艺参数的关系 |
| 4.3.2 实验方案 |
| 4.3.3 样品的场发射性能测试与分析 |
| 4.4 最佳实验条件下的碳膜结构及场发射特性 |
| 4.4.1 最佳场发射碳膜样品的FE-SEM检测分析 |
| 4.4.2 最佳场发射碳膜样品的拉曼光谱检测分析 |
| 4.4.3 最佳场发射碳膜样品的场发射特性 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 金刚石/纳米碳复式场发射阴极的制备及场发射特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极的制备过程 |
| 5.3 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极性能检测与分析 |
| 5.3.1 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极各膜层结构性能检测 |
| 5.3.2 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极与金刚石薄膜的场发射特性对比 |
| 5.3.3 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极与单层纳米碳膜的场发射特性对比 |
| 5.4 本章小节 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果 |
（9）大功率微波电源控制方案的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 微波输出器件—磁控管 |
| 1.2.1 磁控管的基本特性 |
| 1.2.2 磁控管的基本结构 |
| 1.2.3 磁控管的工作原理 |
| 1.2.4 CK-619 型磁控管 |
| 1.3 磁控管输出功率影响因素 |
| 1.4 本文研究内容 |
| 第二章 系统控制方案 |
| 2.1 常见控制方案介绍 |
| 2.1.1 稳压恒流调节法 |
| 2.1.2 多路磁控管耦合法 |
| 2.1.3 其它控制方法 |
| 2.1.4 控制方案总结 |
| 2.2 输出功率控制分析 |
| 2.3 系统总方案 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 硬件电路设计 |
| 3.1 磁场调节电路 |
| 3.2 滤波采样电路 |
| 3.2.1 整流滤波电路 |
| 3.2.2 采样电路 |
| 3.3 双向可控硅电路 |
| 3.3.1 双向可控硅的介绍 |
| 3.3.2 软启动电路 |
| 3.3.3 灯丝调节电路 |
| 3.4 保护电路 |
| 3.4.1 缺相保护电路 |
| 3.4.2 过流保护电路 |
| 3.4.3 磁控管保护电路 |
| 3.5 电路板设计注意事项 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 软件程序设计 |
| 4.1 软件总体方案 |
| 4.2 单片机及其程序设计 |
| 4.3 比例积分控制算法基本原理 |
| 4.4 设备程序设计 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 系统调试 |
| 5.1 硬件电路调试 |
| 5.1.1 印制电路板裸板调试 |
| 5.1.2 器件查错 |
| 5.1.3 主控芯片调试 |
| 5.2 软件程序调试 |
| 5.3 软硬件联合调试 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（10）微波热疗机输出功率控制及定标方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 插图索引 |
| 附表索引 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 微波特性 |
| 1.2 微波热疗机及微波功率测量 |
| 1.3 本文研究工作简介 |
| 第2章 微波与水的相互作用研究 |
| 2.1 微波照射下水的特性 |
| 2.2 微波与水的相互作用 |
| 2.2.1 电磁波在水表面的反射和透射 |
| 2.2.2 平面微波对水的透入深度 |
| 2.2.3 计算结果 |
| 第3章 微波功率定标系统设计 |
| 3.1 基于ARM的微波源控制系统电路设计 |
| 3.1.1 嵌入式系统简介 |
| 3.1.2 ARM微处理器介绍 |
| 3.1.3 系统的总体介绍 |
| 3.1.4 系统的硬件电路设计 |
| 3.1.4.1 磁控管阳极电流取样电路 |
| 3.1.4.2 磁控管高压控制电路 |
| 3.1.4.3 温度测量电路 |
| 3.1.4.4 ARM嵌入式硬件电路 |
| 3.1.4.5 串行接口部分电路 |
| 3.1.4.6 JTAG接口部分电路 |
| 3.1.4.7 其它部分电路 |
| 3.1.5 系统的PCB板图设计 |
| 3.1.5.1 系统的PCB板图 |
| 3.2 微波功率测量及温度测量装置 |
| 第4章 微波功率定标系统控制软件设计 |
| 4.1 嵌入式Linux操作系统软件设计 |
| 4.1.1 嵌入式Linux操作系统移植 |
| 4.1.1.1 嵌入式开发环境的搭建 |
| 4.1.1.2 bootloader编译 |
| 4.1.1.3 嵌入式操作系统内核配置及编译 |
| 4.1.1.4 嵌入式根文件系统映象文件的制作 |
| 4.1.2 Linux设备驱动程序开发 |
| 4.1.2.1 Linux设备驱动程序设计 |
| 4.1.3 串口程序设计 |
| 4.1.3.1 串口设置 |
| 4.1.3.2 串口配置程序 |
| 4.1.4 控制程序设计 |
| 4.2 PC机Labview软件设计 |
| 4.2.1 虚拟仪器程序功能及总体框图介绍 |
| 4.2.2 LabVIEW设计的虚拟仪器面板 |
| 4.2.3 虚拟仪器串口通信方式设置 |
| 4.2.4 电源及微波高压开关程序设计 |
| 4.2.5 磁控管阳极电流设定及测量 |
| 4.2.6 温度测量及显示 |
| 4.2.7 数据保存 |
| 第5章 测量系统的实验室验证 |
| 5.1 实验测量简述 |
| 5.1.1 实验方法 |
| 5.1.2 负载水所吸收的微波能量的测量 |
| 5.1.3 实验装置散失热量的测量 |
| 5.1.4 辐射器输出功率的测量 |
| 5.2 实际的测量结果 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) |
四、高精度快响应大功率磁控管微波源的研制（论文参考文献）
- [1]碳纳米管冷阴极电子光学系统及返波管研究[D]. 陈青云. 电子科技大学, 2020(07)
- [2]高速大功率限幅技术研究[D]. 毋召锋. 国防科技大学, 2019
- [3]紧凑型高性能脉冲调制器的研究[D]. 刘永芳. 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2019(01)
- [4]基于碳纳米管场致发射阴极的分布式X射线源的研制[D]. 李小兵. 电子科技大学, 2019(01)
- [5]基于超导HEB的太赫兹信号检测[D]. 盖之慧. 南京大学, 2016(10)
- [6]项目计算机辅助受理的申请代码与研究方向[J]. 宋朝晖,唐华,雷建军,瞿逢重,邢玲,熊小芸. 电子与信息学报, 2016(01)
- [7]N型纳米金刚石微结构的制备及其在S波段微波场发射性能研究[D]. 韩汶洪. 西南科技大学, 2015(03)
- [8]金刚石/纳米碳复式场发射阴极的制备和性能研究[D]. 王金烨. 上海理工大学, 2015(05)
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