一、新一代127cm PDP电视（论文文献综述）
费玺钰[1]（2020）在《三环并环型受体单元在磷光主体材料中的应用研究》文中认为OLED经过三十余年的发展,在效率和寿命方面均取得了极大的突破,产业化事业也在有条不紊地向前推进着。高效长寿命OLED器件的实现离不开新材料的开发与器件结构的优化,OLED的发展史也是OLED材料开发史以及器件结构优化史。OLED发展至今,发光材料主要经历了三个阶段——荧光发光材料阶段、磷光发光材料阶段以及热活化延迟荧光（TADF）发光材料阶段。由于磷光材料和TADF材料理论上都可以实现100%的内量子效率（IQE）,因此它们成为高效率OLED器件的首选材料。目前TADF材料在寿命以及光谱稳定性方面还存在很多问题,商用OLED发光材料仍旧以磷光材料为主。对于高性能磷光OLED （PHOLED）来说,一般发光层都是采用主客体掺杂体系——将发光材料（客体材料）掺杂在一定的主体材料当中并由主体和客体共同构成OLED的发光层,这样既可以避免发光材料发光的浓度猝灭效应,也可以有效抑制发光层中三线态激子引起的一些发光猝灭现象。因此新型主体材料的开发一直是人们研究的热点。由于给体-受体（D-A）型主体材料有利于同时实现电子和空穴的平衡传输,在改善OLED性能方面也会有较大的潜在优势。三环并环化合物作为一大类重要的有机化合物,为OLED材料提供了不少发展潜力巨大的D和A结构单元。三环并环化合物作为OLED材料给体已经有了较为广泛的应用,而作为OLED材料受体的应用则相对较少。因此,本论文主要从拉电子型三环并环化合物在OLED主体材料中的应用进行展开,着重讨论材料的结构与其电致发光性能之间的关系,旨在探索它们在OLED应用中的可能性,并为后续材料的设计提供新的思路。1、将芴酮作为受体单元用于构建OLED主体材料。在芴酮的四个单取代衍生位点上（1-、2-、3-和4-位）分别引入苯基咔唑给体单元,由此设计了四个具有D-A结构的主体材料（化合物1、2、3和4）,且它们彼此互为位置异构体。通过研究芴酮不同位点取代对材料基本性质（热学性质、光物理性质、电化学行为以及电荷传输性能）以及电致发光性能的影响,以全面考察芴酮在OLED材料中的应用潜力。实验结果表明,芴酮1-位取代化合物（1）表现出了相对最好的电致发光性能。这预示着芴酮的1-位取代可以为材料带来一些新奇的性质,也为芴酮的进一步应用开拓了更为广阔的空间。2、在芴酮羰基位置引入一个N原子,形成具有内酰胺结构的菲啶酮,以此作为OLED主体材料的新型受体单元。通过在菲啶酮上引入取代或未取代的三苯胺给体单元构建了三个新型D-A结构主体材料——TPA、TPAtBu以及TPAOMe。从结果来看,菲啶酮的最低未占据轨道（LUMO）能级以及三线态能级（ET）相较于芴酮均有所提高。此外,虽然不同给体单元对材料的基本性质产生了一定的影响,但它们都表现出了相对较好的电致发光性能。以TPAOMe为主体的红光PHOLED器件效率相对最高,且三组器件都表现出很小的效率滚降。这样的结果揭橥了菲啶酮作为OLED材料受体单元的可能,拓展了其进一步应用的范围。3、在菲啶酮羰基另一侧继续引入一个N原子,以此形成了具有酰二胺结构的新型三环并环受体单元——二苯并[d,f][1,3]二氮杂熳-6-酮。通过在二苯并[d,f][1,3]二氮杂熳-6-酮上引入取代或未取代的三苯胺给体单元构建了两个具有D-A结构的新型主体材料（7-TPA和7-TBu）。N原子的引入使得二苯并[d,f][1,3]二氮杂熳-6-酮的LUMO能级和ET相较于菲啶酮有进一步的提高,这为构建高三线态材料带来了新的启迪。对7-TPA和7-TBu基本性质的研究结果表明,不同给体单元影响了材料的热学性能、光物理性质、电化学行为以及电荷传输行为。以7-TPA和7-TBu为主体的红光PHOLED均表现出较好的器件性能以及很小的效率滚降,这表明二苯并[d,f][1,3]二氮杂熳-6-酮在构建OLED材料方面同样具有较大的应用前景。
韦梦竹[2]（2019）在《用于OLED的石墨烯/金属复合电极研究》文中认为随着现代移动通信技术、宽带互联网技术、无线互联网技术的飞速发展,世界进入全新的“信息时代”,信息内容日益丰富多彩,作为信息产业的重要构成部分—显示技术在信息技术的发展过程中一直起着十分重要的作用。随着显示技术日新月异的发展,有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode,OLED）以更大的视角、更高的色彩饱和度,更快的响应速度和更节能等优势越来越成为显示技术的主流。随着人们对显示产品需求的提高,OLED显示正朝着可折叠、可弯曲的方向不断发展。因此作为OLED应用最广泛的阳极材料氧化铟锡（ITO）由于其易碎、稀缺等因素正逐渐被其他机械性能优异的阳极材料所替代。目前我们广泛用于替代ITO的柔性透明导电电极的材料选择主要有:金属纳米线,石墨烯,碳纳米管和导电聚合物等。其中,石墨烯以其优异的机械性能,透光性以及导电性能,成为近几年来最受关注的材料之一。然而,由于石墨烯在制备以及转移的工艺原因,石墨烯的导电性能大打折扣,并且其功函数低,使得制备OLED的空穴注入能力差,这成为石墨烯在OLED应用上的一大难题。本文利用化学修饰的方法,将石墨烯浸泡在以硝基甲烷为溶剂的氯化金（AuCl3）溶液中进行化学掺杂处理,通过对处理时间以及采用的试剂浓度的调节与把控,分析改性石墨烯的掺杂原理,对比在不同参数下获得的化学修饰石墨烯的光电性能,制备绿色磷光OLED。测试结果显示,单层石墨烯经过处理后,方块电阻从365Ω/sq下降到190Ω/sq,而光学透过率仅仅下降不到2%。因此,化学掺杂法在不显着影响石墨烯光学透过率的前提下可以有效的降低了石墨烯的表面电阻,增加了石墨烯的载流子浓度。对于有机发光器件来说,基于掺杂的单层石墨烯透明导电电极制备的OLED显示出比由未处理石墨烯制成的器件作为阳极高得多的性能。掺杂石墨烯阳极的OLED的最大亮度增加了135%,最大效率提高了25.2%。
江从彪[3]（2019）在《量子点电致发光器件与显示研究》文中研究说明量子点电致发光二极管（QD-LED）由于发光色纯度高、发光波长可调和溶液加工特性,使其在平板显示方面应用前景广阔。高效率、长寿命QD-LED以及全彩化集成技术是量子点显示屏的基础,研究QD-LED工作机理、老化机制和量子点薄膜图形化技术有助于推动量子点显示产业化。本论文首先系统地研究了倒装结构器件中空穴传输层特性对器件性能的影响,较大的空穴注入势垒导致空穴在QD/HTL界面积累和激子复合中心向界面移动,而界面处积累的电荷会淬灭激子,降低器件性能。采用双层空穴传输层,形成空穴梯度注入,减小注入势垒同时改善载流子平衡,器件外量子效率由4.0%提升到了9.7%。在此基础上,我们采用深HOMO能级的蓝光聚合物PFSO作为倒装红光QD-LED器件的空穴传输层,实现了11.8 cd/A的电流效率。同时,我们设计并制备了PFSO作为QD-LED的空穴传输层与蓝光OLED的发光层的杂化器件,实现了红光与蓝光的同时发射,丰富了全彩显示的器件结构。喷墨打印技术被认为是制备大尺寸QD-LED显示屏的可行技术,但是量子点墨水配制和干燥薄膜特性研究报道较少。我们自主研制了可稳定喷墨打印的量子点墨水,并且系统地研究了墨水流变性质、基板表面性质对液滴干燥形貌的影响。发现加快液滴干燥速率和增强量子点与基板的相互作用可以有效地抑制“咖啡环”效应,最终采用喷墨打印方法制备了厚度均匀的量子点薄膜。结合金属氧化物TFT背板,采用喷墨打印技术制备了2-inch、120 ppi的全彩色量子点电致发光显示屏,显示色域达到了109%NTSC标准,为喷墨打印制备大尺寸量子点显示屏提供了有益的参考。采用无机ZnO和磷钼酸PMA组成连接层,溶液加工制备了高效率叠层白光QD-LED器件。得益于连接层优异的溶剂阻挡能力、可见光范围内高透过率以及高效率的载流子注入和传输能力,制备的叠层红光QD-LED工作电压、电流效率、亮度均与理论值一致。红、绿、蓝QD-LED叠层白光器件在亮度为100000 cd/m2时得到最大电流效率60.4 cd/A和最大外量子效率27.3%。此外,叠层白光器件在10000 cd/m2-100000 cd/m2的亮度范围内均能达到20%的外量子效率。叠层白光QD-LED结合滤色片,可以输出124%的NTSC显示色域,展示出作为新一代显示屏背光源的巨大应用潜力。无论是喷墨打印AMQLED显示屏还是叠层白光QD-LED均展现出巨大的应用潜力,但是器件工作稳定性仍需进一步提高。我们研究了正装有机/无机杂化红光QD-LED器件老化机制。发现器件在恒流模式下老化过程分为两个阶段:第一阶段QD/HTL界面黏附力增强,空穴注入增强,平衡了载流子,使得器件在老化初期亮度不断提高;第二阶段器件亮度不断降低,可能由于量子点在工作时表面配体脱落导致薄膜荧光量子产率不断降低。为此,我们提出配体交换策略,将表面的油酸等低结合能的有机配体置换为结合能力更强的硫醇配体,从而提高器件稳定性。
贵体翔[4]（2013）在《彩色显示技术面面观（11）》文中研究指明二十一、DP等离子彩色显示屏介绍在平板显示屏中,曾几何时,液晶和等离子被称为平板显示屏的"双雄"。时下残酷的现实是:市场上液晶显示屏一枝独秀!从科学技术层面来讲,这种格局实属意外。本文还是要从知识的角度进行介绍。等离子平板显示屏（PDP:Plasma Display Panel）在显示图像的效果上,其实并不亚于液晶显示屏,有些重要技术指标还略胜一筹。PDP显示屏呈接CRT显示器,后连OLED。因为它们发光机理都是自主发光"电生光"。发光物质都是荧光物质。PDP和OLED堂堂正正步入了平板显示
赵川[5]（2013）在《基于二维仿真软件MEDICI的IC器件设计》文中提出PDP作为目前市场上主流的平板显示器，具有显示效果好、寿命长、视角广、响应快等优点。但是其行扫描驱动电路中高压功率器件的设计一直是难点。本文旨在设计一组基于厚膜SOI（Silicon On Insulator）的PDP行扫描驱动集成电路中的高压器件，包括电平电路中PLDMOS、P-channel Lateral Double-diffusedMOSFET、NLDMOS、N-channel Lateral Double-diffused MOSFET、以及输出端LIGBT（Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor）。所采用SOI材料的顶层硅厚度为12μm，埋氧层厚度为1μm。与传统的体硅技术相比，SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、便于隔离、闩锁效应小等优点。本项目中采用厚膜SOI器件相比于薄膜SOI器件可以获得更大的电流密度，自热效应也得到明显的改善。而在输出端采用LIGBT取代传统的LDMOS，使驱动电路的电流能力增大，提高了芯片的工作速度。本文首先介绍了PDP行扫描驱动电路在整个PDP显示系统中的作用及其高压部分的工作原理。紧接着介绍了PDP行扫描电路中的隔离方式。在这个项目中采用的是在这个项目中的低电压单元的浅沟槽隔离和源极和漏极之间的高电压设备之间，并采用高电压单元和高、低压单元隔离双深槽隔离，，大大的减小了隔离区面积，避免了寄生效应，能显着提高集成电路的集成度和可靠性。本文采用二维仿真软件MEDICI分别对PLDMOS、NLDMOS及LIGBT的关态击穿特性、阈值电压、开态特性等进行了研究。并对漂移区长度、漂移区浓度、场板长度、沟道区浓度、隔离槽位置等器件结构参数进行了优化设计，并对它们对器件性能的影响进行了详细的分析讨论。此外，还分析了LIGBT闩锁效应的产生机理，并在发射极引入了深P+区来缓解该效应。为了缓解LIGBT导通压降与关断损耗的矛盾关系，项目中采用了场阻LIGBT来减小关断时间。本文最后还对SOILIGBT的自热效应进行了分析。优化后的器件关态击穿电压都达到了170V以上并具有较大的正向安全工作区。输出端LIGBT的电流能力达到了4×10-4A/μm以上，关断时间为10-7s。本文设计的这组器件各项指标都满足了PDP行扫描驱动集成电路对高压器件的要求。
吴慧[6]（2011）在《PDP电视生产专用涂料涂注头的结构设计与分析》文中提出涂敷机和喷注机是AC-PDP显示屏制作的主要设备,它们主要用于前、后基板介质层、障壁以及荧光粉层的制作。涂敷头和喷注头是涂敷机和喷注机的关键部件,其结构设计的好坏直接影响着涂敷形成的液膜及荧光粉层质量。本文主要对涂敷头和喷注头的结构设计进行了论证,使用PRO/E和AUTOCAD绘制了涂敷头与喷注头的造型图。基于微流体理论,对涂料流体流经矩形微通道的运动状态作了分析,建立了荧光液喷注形成荧光粉层的凹池模型,并以此确定了涂敷头及喷注头的结构尺寸。基于理论力学、材料力学、机械设计等基础理论对涂敷头及喷注头进行了结构受力分析,并用ANSYS对涂敷头结构做了受力分析验证。
雷磊[7]（2010）在《用于PDP行扫描驱动IC的SOI高压器件》文中提出PDP（Plasma Display Panel:等离子体显示平板）作为新一代显示技术,以其响应速度快,宽屏显示及图像分辨率高等优点,成为显示技术领域发展的重要方向。PDP行扫描驱动芯片是PDP整机系统成本的重要组成部分,其包括低压逻辑部分和高压部分,随着工艺特征线宽的减小,低压逻辑部分所占芯片面积逐渐减小,而高压功率部分由于高电压、大电流,占据了绝大部分的芯片面积,作为设计难点PDP驱动芯片高压部分主要包括高压电平位移电路和功率输出级。本文主要工作是设计应用于PDP行扫描驱动IC的SOI高压功率器件,SOI高压功率器件包括高压电平位移电路中的高压NLDMOS（N-channel Lateral Double-diffused MOSFET）、高压PLDMOS（P-channel Lateral Double-diffused MOSFET）和输出级的高压LIGBT（Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor）。本次芯片设计采用的厚膜SOI材料的顶层硅厚度为12μm,埋氧层厚度为1μm,高压单元之间和高低压单元之间采用深槽介质隔离,相比与传统的PN结隔离技术,使得芯片面积减小了70%。随着PDP大尺寸显示屏技术的发展,其等效的电容增大,所以对驱动芯片输出端的电流能力有更高的要求。本文首先对SOI高压器件的击穿特性进行理论说明,包括导通状态和关断状态下的击穿情况,在此基础上利用仿真软件Medici仿真器件结构参数变化对阈值电压和击穿电压的影响,器件结构参数主要包括:器件漂移区掺杂浓度,沟道区掺杂浓度以及场板长度等,通过对结果的分析得到符合器件电学特性设计要求的结构参数。在器件仿真基础上设计完整的工艺流程并对关键工艺步骤进行分析,采用工艺仿真软件Tsuprem4和器件仿真软件Medici对器件进行工艺器件联合仿真,仿真工艺参数对器件电学特性的影响,确定最终的工艺流程菜单,并完成芯片版图的绘制。第一次流片已经完成,经测试高压器件击穿电压都达到了200V以上,输出端LIGBT的电流能力达到了4×10-4A/μm以上,关断时间小于10-7s,满足PDP行扫描驱动电路对高压器件的要求,并成功实现对PDP屏驱动。
黄绍平[8]（2008）在《CES’2008掠影》文中研究表明为期四天的2008年国际消费电子展（2008 International CES）在美国当地时间1月10日正式闭幕,作为全球最大的消费电子盛会之一,今年的CES云集了140个国家和地区的14万名商人,30万件新产品,4500多名各路记者蜂拥而至。数字技术凯歌高奏,全面进军家庭及个人多媒体视听娱乐、电脑互联网办公商务、车载电子设备和通讯医疗保健产品等广泛领域。
桃之思[9]（2007）在《异彩纷呈的显示技术盛宴——CEATEC大展综述》文中认为
高锡平,崔竹,李长久,黄幼榕[10]（2006）在《等离子显示屏用基板玻璃》文中进行了进一步梳理介绍了等离子显示屏PDP的工作原理,从显示屏制作过程提出了对基板玻璃的性能要求,对几种PDP用基板玻璃进行了比较,提出了开发具有自主知识产权的PDP基板玻璃的重要性及前景。
二、新一代127cm PDP电视（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、新一代127cm PDP电视（论文提纲范文）
（1）三环并环型受体单元在磷光主体材料中的应用研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 显示技术的发展 |
| 1.2 OLED发光材料的发展 |
| 1.3 OLED主体材料的设计 |
| 1.4 本论文的设计思想及研究内容 |
| 1.5 参考文献 |
| 第二章 芴酮基受体单元在OLED主体材料中的应用 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验仪器 |
| 2.2.2 实验所有药品及试剂 |
| 2.2.3 材料合成 |
| 2.2.4 器件制备及表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 材料合成及表征 |
| 2.3.2 热稳定性 |
| 2.3.3 光物理性质 |
| 2.3.4 电化学行为和DFT模拟 |
| 2.3.5 自然跃迁轨道分析 |
| 2.3.6 电荷传输性能 |
| 2.3.7 电致发光性能 |
| 2.4 本章小结 |
| 2.5 参考文献 |
| 第三章 6(5H)-菲啶酮基受体单元在OLED主体材料中的应用 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验仪器 |
| 3.2.2 实验所有药品及试剂 |
| 3.2.3 材料合成 |
| 3.2.4 器件制备及表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 材料合成及表征 |
| 3.3.2 热稳定性 |
| 3.3.3 光物理性质 |
| 3.3.4 电化学行为及DFT模拟 |
| 3.3.5 自然跃迁轨道分析 |
| 3.3.6 电荷传输性能 |
| 3.3.7 电致发光性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 3.5 参考文献 |
| 第四章 二苯并[d,f][1,3]二氮杂熳-6-酮基受体单元在OLED主体材料中的应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验仪器 |
| 4.2.2 实验所有药品及试剂 |
| 4.2.3 材料合成 |
| 4.2.4 器件制备及表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 材料合成及表征 |
| 4.3.2 热稳定性 |
| 4.3.3 光物理性质 |
| 4.3.4 电化学行为及DFT模拟 |
| 4.3.5 自然跃迁轨道分析 |
| 4.3.6 电荷传输性能 |
| 4.3.7 电致发光性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 4.5 参考文献 |
| 第五章 全文总结 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论着、论文 |
| 附录Ⅰ |
| 附录Ⅱ |
| 致谢 |
（2）用于OLED的石墨烯/金属复合电极研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 现代显示技术的发展历程 |
| 1.2 OLED发展及其电极材料 |
| 1.2.1 OLED发展 |
| 1.2.2 柔性OLED电极材料 |
| 1.3 课题研究意义与研究内容 |
| 1.3.1 研究意义 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 第二章 石墨烯/金属复合电极的制备 |
| 2.1 石墨烯制备方法 |
| 2.1.1 液相剥离法 |
| 2.1.2 氧化还原法 |
| 2.1.3 SiC热解外延生长法 |
| 2.1.4 化学气相沉积法 |
| 2.2 化学修饰石墨烯的理论分析 |
| 2.3 石墨烯/金属复合电极制备实验 |
| 2.3.1 试剂与仪器 |
| 2.3.2 实验过程 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 石墨烯/金属复合电极的性能表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 仪器介绍及使用 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜及X射线能谱 |
| 3.2.2 四探针方阻测试仪 |
| 3.2.3 紫外-可见-近红外分光光度计 |
| 3.2.4 原子力显微镜 |
| 3.3 实验数据与结果分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 复合电极在OLED器件上的应用 |
| 4.1 OLED结构与原理 |
| 4.2 OLED制备方法 |
| 4.3 复合电极OLED制备及性能指标测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 硕士期间论文收录情况 |
（3）量子点电致发光器件与显示研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 量子点发光二极管简介 |
| 1.2.1 量子点发光材料 |
| 1.2.2 量子点发光二极管工作原理 |
| 1.2.3 量子点发光二极管性能参数 |
| 1.2.4 量子点发光二极管器件结构 |
| 1.3 量子点显示技术 |
| 1.3.1 显示发展历程 |
| 1.3.2 光致发光量子点显示 |
| 1.3.3 电致发光量子点显示 |
| 1.4 本论文的研究目的与创新之处 |
| 第二章 空穴传输层对QD-LED性能影响的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验内容 |
| 2.2.1 实验材料与设备仪器 |
| 2.2.2 器件制备 |
| 2.2.3 器件测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 热退火对器件性能影响 |
| 2.3.2 空穴传输层对器件性能的影响 |
| 2.3.3 蓝光聚合物作为HTL与发光层 |
| 2.4 总结 |
| 第三章 喷墨打印制备全彩色量子点显示屏 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 喷墨打印原理与液滴干燥理论 |
| 3.1.2 喷墨打印QD-LED简介 |
| 3.2 实验内容 |
| 3.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 3.2.2 器件制备 |
| 3.2.3 实验内容测试与表征 |
| 3.3 喷墨打印薄膜形貌及原型器件 |
| 3.3.1 液滴干燥形貌 |
| 3.3.2 “咖啡环”抑制机制 |
| 3.3.3 喷墨打印绿光QD-LED |
| 3.3.4 小结 |
| 3.4 全彩色AMQLED显示屏 |
| 3.4.1 像素结构内薄膜形貌研究 |
| 3.4.2 RGB无源点阵器件 |
| 3.4.3 全彩色有源驱动QLED显示屏 |
| 3.4.4 小结 |
| 3.5 总结 |
| 第四章 溶液加工叠层量子点器件 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 白光量子点二极管 |
| 4.1.2 溶液加工叠层WQLED |
| 4.2 实验内容 |
| 4.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 4.2.2 器件制备 |
| 4.2.3 器件测试与表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 连接层(ICL)特性 |
| 4.3.2 叠层红光QD-LED |
| 4.3.3 叠层白光QD-LED |
| 4.4 总结 |
| 第五章 量子点发光二极管稳定性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验内容 |
| 5.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 5.2.2 器件制备 |
| 5.2.3 器件测试与表征 |
| 5.3 QLED老化机制 |
| 5.3.1 材料特性 |
| 5.3.2 器件老化特性 |
| 5.4 总结 |
| 论文总结 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（4）彩色显示技术面面观（11）（论文提纲范文）
| 二十一、DP等离子彩色显示屏介绍 |
| 1.等离子显示屏发展介绍 |
| 2.等离子显示屏的基本结构与工作原理 |
| 3.PDP的基本类型 |
| 二十二、PDP彩色显示屏在电视机的应用 |
| 1.SM-PDP色彩显示屏的基本结构 |
| 2.PDP的ADS驱动方式 |
| 数字信号源 |
| 通用格式转换技术 |
| 9个子场的ADS驱动方案 |
| 3.提高色温和简化结构 |
| 4.等离子显示屏的技术指标 |
| 对比度 |
| 清晰度和动态图像清晰度 |
| 响应速度 |
| 视角 |
| 色彩表现力 |
| 消耗功率 |
| 5.PDP电视的前途问题 |
（5）基于二维仿真软件MEDICI的IC器件设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 PDP 的前景分析 |
| 1.3 二维仿真软件 MEDICI 的介绍 |
| 1.4 本论文的主要工作 |
| 第二章 开发工具的选择 |
| 2.1 开发工具 MEDICI 的常用语法概览 |
| 2.1.1 MEDICI 的常用语句简介 |
| 2.1.2 MEDICI 的参数类型和语句格式 |
| 2.2 PDP 的工作原理 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 MEDICI 系统的需求分析 |
| 3.1 系统特点 |
| 3.2 系统需求 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 基于 MEDICI 的半导体器件设计 |
| 4.1 集成电路中的隔离问题 |
| 4.2 高压 NLDMOS 的优化设计和仿真 |
| 4.2.1 NLDMOS 关态特性及仿真 |
| 4.2.2 仿真 NLDMOS 开态特性及仿真 |
| 4.2.3 具有 N-buffer 层的 NLDMOS 的研究 |
| 4.2.4 SOI NLDMOS 设计小结 |
| 4.3 高压 PLDMOS 的仿真及优化设计 |
| 4.3.1 PLDMOS 关态特性 |
| 4.3.2 PLDMOS 开态特性仿真 |
| 4.3.4 PLDMOS 设计小结 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（6）PDP电视生产专用涂料涂注头的结构设计与分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题项目来源、背景和意义 |
| 1.1.1 课题来源及目的 |
| 1.1.2 课题背景 |
| 1.1.3 课题研究的意义 |
| 1.2 等离子平板显示原理概述 |
| 1.2.1 PDP 工作原理 |
| 1.2.2 PDP 的分类 |
| 1.3 PDP 电视国内外的发展现状及优势 |
| 1.3.1 等离子电视的发展史 |
| 1.3.2 国内等离子电视发展现状 |
| 1.3.3 PDP 电视的特点 |
| 1.3.4 PDP 电视的性能优势 |
| 1.4 课题的关键技术和本文所要研究的内容 |
| 第二章 涂敷机和喷注机设备整体结构系统 |
| 2.1 AC-PDP 制造流程与工艺 |
| 2.1.1 彩色AC-PDP 制造流程 |
| 2.1.2 AC-PDP 前基板制造工艺 |
| 2.1.3 AC-PDP 后基板制造工艺 |
| 2.1.4 组装工艺 |
| 2.2 涂敷机设计要求及工艺流程 |
| 2.2.1 涂敷区域与液膜指标要求 |
| 2.2.2 涂敷机工作工艺流程 |
| 2.3 涂敷机工作原理 |
| 2.4 涂敷机系统构成 |
| 2.4.1 涂敷机结构系统构成 |
| 2.4.2 涂敷机结构组件设计 |
| 2.4.3 控制系统 |
| 2.5 喷注机系统构成 |
| 2.5.1 喷注机结构系统 |
| 2.5.2 对位平台调整机构 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 涂敷机涂敷头结构方案设计 |
| 3.1 涂敷头的设计要求及结构方案 |
| 3.1.1 涂敷头的设计要求 |
| 3.1.2 涂敷头的结构设计方案 |
| 3.2 微流体理论基础 |
| 3.2.1 微流体概念及微流动区域分类 |
| 3.2.2 流体连续微分方程和运动微分方程（N-S 方程） |
| 3.2.3 矩形微通道的流动分析 |
| 3.3 涂敷头结构参数的确定 |
| 3.3.1 涂敷头缝隙尺寸的论证 |
| 3.3.2 涂敷形成的液膜边缘厚度均匀性分析 |
| 3.3.3 涂敷头结构基本型式 |
| 3.3.4 涂敷头截面参数设计 |
| 3.3.5 涂敷头组件结构与装配 |
| 3.3.5.1 C 型件的结构设计 |
| 3.3.5.2 L 件的结构设计 |
| 3.3.5.3 涂敷头组件的装配 |
| 3.4 涂敷头结构受力分析 |
| 3.4.1 涂敷头腔体受力模型 |
| 3.4.2 密封紧固螺栓强度验证 |
| 3.5 涂敷头附属组件设计与分析 |
| 3.5.1 横梁结构参数的确定 |
| 3.5.2 横梁变形分析 |
| 3.5.3 横梁挂钩强度计算 |
| 3.5.4 螺栓参数的选择 |
| 3.5.4.1 紧固螺栓参数验证 |
| 3.5.4.2 连接螺栓参数验证 |
| 3.5.5 密封垫片的选择 |
| 3.5.6 供液柱塞缸及柱塞电机参数的确定 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 喷注头结构设计 |
| 4.1 荧光浆料填注工艺及填注凹池模型 |
| 4.1.1 荧光浆料填注工艺 |
| 4.1.2 建立凹池荧光液填注模型 |
| 4.2 矩形微通道缝隙尺寸的确定 |
| 4.2.1 确定微通道截面尺寸 |
| 4.3 喷注头结构设计 |
| 4.3.1 喷注头截面结构型式 |
| 4.3.2 喷注头结构组件 |
| 4.3.3 紧固螺栓强度验证 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 涂敷头结构分析与仿真 |
| 5.1 ANSYS 以及ANSYS WORKBENCH 软件简介 |
| 5.1.1 Ansys 以及ansys workbench 简介 |
| 5.2 涂敷头结构的ANSYS 仿真分析 |
| 5.2.1 涂敷头腔体受力模型 |
| 5.2.2 横梁与涂敷头自重变形分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录A “C”型件概要设计图 |
| 附录B “L”型件概要设计图 |
（7）用于PDP行扫描驱动IC的SOI高压器件（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 PDP 技术发展现状 |
| 1.3 本论文的主要工作 |
| 第二章 PDP 工作原理 |
| 2.1 PDP 显示屏及其行扫描驱动电路 |
| 2.1.1 表面放电型AC-PDP 的结构及工作原理 |
| 2.1.2 PDP 行扫描驱动电路设计 |
| 2.2 SOI 技术简介 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 PDP 行扫描驱动IC 中的SOI 高压器件设计 |
| 3.1 SOI 高压集成电路中的隔离技术 |
| 3.1.1 PN 结隔离 |
| 3.1.2 LOCOS 隔离 |
| 3.1.3 深槽隔离 |
| 3.2 200V SOI NLDMOS 设计 |
| 3.2.1 NLDMOS 阈值电压设计 |
| 3.2.2 SOI 器件耐压机理 |
| 3.2.3 漂移区掺杂浓度对器件耐压影响 |
| 3.2.4 栅场板长度对击穿电压的影响 |
| 3.2.5 N-buffer 层对NLDMOS 击穿电压的影响 |
| 3.3 200V SOI PLDMOS 设计 |
| 3.3.1 阈值电压设计 |
| 3.3.2 PLDMOS 击穿电压优化设计 |
| 3.4 输出端设计 |
| 3.4.1 LIGBT 关断耐压优化 |
| 3.4.2 LIGBT 开态耐压优化设计 |
| 3.4.3 关断时间仿真 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 PDP 行扫描驱动电路工艺设计 |
| 4.1 工艺设计流程 |
| 4.2 高压NLDMOS 工艺参数优化 |
| 4.2.1 P 型沟道区注入剂量优化 |
| 4.2.2 N-buffer 层优化 |
| 4.2.3 顶层硅厚度和电阻率容差 |
| 4.3 高压PLDMOS 工艺参数优化 |
| 4.3.1 N-body 注入剂量优化 |
| 4.3.2 P-drift 注入剂量优化 |
| 4.3.3 P-buffer 层的影响 |
| 4.3.4 顶层硅厚度和电阻率容差分析 |
| 4.4 输出端LIGBT 优化设计 |
| 4.4.1 深P+注入设计 |
| 4.4.2 N-buffer 注入优化设计 |
| 4.4.3 仿真关断时间 |
| 4.5 版图绘制 |
| 4.6 测试结果 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
四、新一代127cm PDP电视（论文参考文献）
- [1]三环并环型受体单元在磷光主体材料中的应用研究[D]. 费玺钰. 苏州大学, 2020(02)
- [2]用于OLED的石墨烯/金属复合电极研究[D]. 韦梦竹. 长春理工大学, 2019(01)
- [3]量子点电致发光器件与显示研究[D]. 江从彪. 华南理工大学, 2019
- [4]彩色显示技术面面观（11）[J]. 贵体翔. 实用影音技术, 2013(09)
- [5]基于二维仿真软件MEDICI的IC器件设计[D]. 赵川. 电子科技大学, 2013(01)
- [6]PDP电视生产专用涂料涂注头的结构设计与分析[D]. 吴慧. 西安电子科技大学, 2011(08)
- [7]用于PDP行扫描驱动IC的SOI高压器件[D]. 雷磊. 电子科技大学, 2010(03)
- [8]CES’2008掠影[J]. 黄绍平. 卫星电视与宽带多媒体, 2008(05)
- [9]异彩纷呈的显示技术盛宴——CEATEC大展综述[J]. 桃之思. 实用影音技术, 2007(02)
- [10]等离子显示屏用基板玻璃[J]. 高锡平,崔竹,李长久,黄幼榕. 玻璃, 2006(03)